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赵洪利

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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机构

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地区

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6 条 记 录,以下是 1-6
曾传滨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:集成电路 静电保护 SOI 绝缘体上硅 静电
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刘魁勇
供职机构:辽宁大学
研究主题:粲夸克偶素 SUB 正负电子湮灭 光电极 光电化学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:静电保护 埋氧层 漏电 源区 硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 绝缘体上硅 硅化物 总剂量 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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