曾传滨
- 作品数：169 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>
- SOI MOSFET自加热效应测试方法被引量：1
- 2021年
- 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系统,根据示波器在源端采集的电压脉冲的幅值计算漏电流受自加热影响的动态变化过程。选取体硅NMOSFET和SOI NMOSFET进行验证测试,并对被测器件的温度分布进行仿真,证实该方法用于自加热效应的测试是准确有效的,能为建立准确的器件模型提供数据支撑。采用该方法对2μm SOI工艺不同宽长比的NMOSFET进行测试,结果表明栅宽相同的器件,栅长越短,自加热现象越明显。
- 王娟娟王娟娟曾传滨倪涛倪涛李多力罗家俊
- 关键词：自加热效应MOSFET
- 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置
- 公开了一种改变静电保护器件触发电压的方法，包括在静电保护器件的漏极进行掺杂注入；所述漏极掺杂注入的杂质类型与漏极杂质类型相同或相反。本发明还公开了一种改变静电保护器件触发电压的装置。本发明提供的改变静电保护器件触发电压的...
- 姜一波杜寰曾传滨王立新
- 文献传递
- 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构
- 本发明涉及一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构。所述封装结构包括封装外壳、至少一对放电尖角和放电总线，封装外壳设置于基底上，基底上设有芯片，封装外壳上具有至少一个引脚，芯片和引脚之间电连接；每对放电尖角包括第一放电尖角...
- 姜一波杜寰曾传滨
- 一种SOI MOSFET器件及其制备方法
- 本发明公开了一种SOI MOSFET器件及其制备方法，器件包括：位于埋氧层上的有源区和栅极；设置于有源区边缘，并沿栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，部分隔离区与埋氧层之间间隔有部分有源区；设置于器件最外侧的浅槽隔离区...
- 李多力曾传滨高林春王家佳罗家俊韩郑生
- H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)
- 2013年
- 对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电阻与维持电压之间的关系。
- 姜一波曾传滨罗家俊韩郑生
- 关键词：绝缘体上硅静电保护
- 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路
- 本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第...
- 曾传滨李晓静高林春闫薇薇倪涛王加鑫李多力罗家俊韩郑生
- 大功率传输线脉冲信号发生器
- 1．本外观设计产品的名称：大功率传输线脉冲信号发生器。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于功率器件电学闩锁特性测试等。;3．本外观设计产品的设计要点：形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。...
- 孙佳星倪涛王娟娟曾传滨罗家俊王玉娟张煦
- 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法
- 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱...
- 高林春曾传滨闫薇薇李晓静李多力单梁钱频张颢译倪涛罗家俊韩郑生
- 文献传递
- 功率器件的封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种功率器件的封装结构及封装方法，包括功率器件的芯片、底座、至少一个高阻外接引脚、至少一个低阻外接引脚和多根键合丝；所述底座用于支撑所述芯片，所述芯片具有至少一个大功率焊盘和至少一个小功率焊盘，每个所述大功率...
- 王可高见头曾传滨孙澎周净男蔡小五赵发展
- 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法
- 本发明公开了一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法，该结构通过在体接触区内设置重掺杂区，该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距...
- 曾传滨高林春李晓静闫薇薇单梁李多力倪涛王娟娟罗家俊韩郑生
