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刘波

作品数:54 被引量:21H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学更多>>

领域

  • 53个电子电信
  • 21个理学
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主题

  • 42个衬底
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  • 38个二极管
  • 36个迁移率
  • 34个电子迁移率
  • 34个功率
  • 32个欧姆接触
  • 32个肖特基
  • 30个单片
  • 30个异质结
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  • 26个单片集成
  • 26个电阻
  • 24个化学气相沉积
  • 22个氮化
  • 21个电极

机构

  • 41个中国电子科技...
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  • 1个四川大学

资助

  • 37个国家自然科学...
  • 20个国家重点基础...
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  • 12个国家重点实验...
  • 11个河北省自然科...
  • 10个天津市自然科...
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  • 6个国家高技术研...
  • 6个国家部委资助...
  • 4个国家基础科研...
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传媒

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  • 5个半导体情报
  • 5个2010’全...
  • 5个2010’全...
  • 4个光电子.激光

地区

  • 48个河北省
  • 2个北京市
  • 1个黑龙江省
  • 1个吉林省
  • 1个江苏省
53 条 记 录,以下是 1-10
冯志红
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:肖特基二极管 氧化镓 场效应晶体管 金刚石 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡树军
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:GAN 微波器件 SIC_MESFET MMIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢东
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:肖特基二极管 倍频电路 射频输出 二极管 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敦少博
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵向阳
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:肖特基二极管 倍频电路 平衡式 射频输出 二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁凤坡
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOCVD 氮化镓 SI衬底 HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨大宝
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:肖特基二极管 倍频电路 太赫兹 平衡式 二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李佳
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:石墨烯 碳化硅 外延层 衬底 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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