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黄建伟
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:IGBT 芯片 槽栅 元胞 极区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国友
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:芯片 IGBT 槽栅 元胞 极区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
覃荣震
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:芯片 IGBT 元胞 槽栅 极区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗海辉
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:IGBT 槽栅 载流子 元胞 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张泉
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:IGBT 焊料 极区 多晶硅栅 结深
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴小平
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:阴极 半导体器件 阳极 槽栅 功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余伟
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:测试电路 导电 脉冲功率 绝缘栅双极晶体管 短路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋明明
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:槽栅 掩膜 保护层 硅衬底 顶角
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖强
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:槽栅 掩膜 保护层 硅衬底 顶角
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘根
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:IGBT 刻蚀 淀积 槽栅 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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