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王鹏飞

作品数:23 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

领域

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主题

  • 22个衬底
  • 21个量子
  • 19个量子点
  • 19个分子束
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  • 19个波长
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  • 11个调谐
  • 9个单模

机构

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资助

  • 20个国家自然科学...
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  • 2个高等学校骨干...
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传媒

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地区

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潘教青
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 激光器 刻蚀 二氧化硅 砷化镓
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周旭亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 激光器 二氧化硅 砷化镓 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于红艳
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 激光器 砷化镓 二氧化硅 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张冶金
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光子晶体 激光器 波导 半导体激光器 微结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
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倪海桥
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄社松
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 自组织 INAS量子点 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊永华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INAS量子点 分子束外延 单光子 过渡层 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴兵朋
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 INAS量子点 衬底 INAS GAAS基长波长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王圩
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:激光器 电吸收调制器 分布反馈激光器 单片集成 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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