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吴少兵

作品数：18 被引量：34H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

领域

  • 24个电子电信
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主题

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  • 15个电子迁移率
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  • 15个高电子迁移率
  • 15个高电子迁移率...
  • 13个单片
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机构

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  • 2个中国电子科技...
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资助

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传媒

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地区

  • 21个江苏省
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共 25 条 记 录，以下是 1-10
王维波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：W波段 MMIC GAN 太赫兹 功率合成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱涛
供职机构：中国科学院高能物理研究所
研究主题：磁隧道结 COFEB 磁性 铁磁层 PT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 GAN 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 单片功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈实
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题：热释电 铁电薄膜 热释电性 PZT铁电薄膜 非制冷红外焦平面阵列
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林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 微光 太赫兹 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓非
供职机构：华中科技大学
研究主题：矫顽力 射频磁控溅射 超声换能器 超声 抗氧化涂层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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