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吴少兵
作品数:
21
被引量:40
H指数:3
供职机构:
南京电子器件研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
理学
一般工业技术
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合作作者
王维波
南京电子器件研究所
高建峰
南京电子器件研究所
朱涛
中国科学院物理研究所
章军云
南京电子器件研究所
陈堂胜
南京电子器件研究所
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王维波
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:W波段 MMIC 太赫兹 GAN 功率放大器
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朱涛
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:磁隧道结 COFEB 磁性 铁磁层 PT
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供职机构
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高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
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供职机构
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研究领域
李建平
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:低噪声放大器 GAN 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 GAAS
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供职机构
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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
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研究领域
章军云
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS PHEMT 低噪声放大器 光刻机 电子束直写
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所获资助
研究领域
黄念宁
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS PHEMT 孤子解 低噪声放大器
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供职机构
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研究领域
张凯
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 太赫兹 肖特基二极管 射频器件 氮化镓
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研究领域
陈实
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题:热释电 铁电薄膜 热释电性 PZT铁电薄膜 非制冷红外焦平面阵列
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研究领域
陶洪琪
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 功率放大器 MMIC 氮化镓 单片微波集成电路
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