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潘滨

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

领域

  • 15个电子电信
  • 10个自动化与计算...
  • 3个电气工程
  • 3个航空宇航科学...
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 12个单粒子
  • 11个单粒子效应
  • 10个电路
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  • 7个电阻
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机构

  • 15个中国电子科技...
  • 2个电子科技大学
  • 2个中国电子科技...
  • 1个东南大学
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 3个国家自然科学...
  • 2个国家科技重大...
  • 1个江苏省自然科...
  • 1个江苏省“33...

传媒

  • 15个电子与封装
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  • 3个物理学报
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  • 2个微型机与应用
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  • 2个微电子学
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  • 1个微纳电子技术
  • 1个信息与电子工...

地区

  • 14个江苏省
  • 1个四川省
共 15 条 记 录，以下是 1-10
周昕杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 版图 抗辐射 EEPROM 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国贤
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 校准电路 输入信号 高速率 模拟集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈嘉鹏
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子效应 背栅效应 背栅 负电压 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈瑶
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 单粒子效应 表决器 表决 PLL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘永灿
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：存储器测试 标准单元库 FIFO SRAM SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾祥
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 SOI器件 SOI工艺 抗ESD 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳艳
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：NMOS器件 总剂量效应 SOI 场区 STI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 冷备份 背栅效应 背栅 负电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱少立
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 单粒子 介质隔离 SOI器件 NPN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李爱平
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：存储器测试 FIFO SRAM NI 备份
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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