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洪培真

作品数:57 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

领域

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机构

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地区

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26 条 记 录,以下是 1-10
殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构:清华大学
研究主题:半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春龙
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 刻蚀 掩模 粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦长亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 栅极 沟道 鳍片 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹海洲
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:铁电存储器 铁电 叠层 介质层 NAND型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟令款
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 掩模 半导体器件 粗糙度 电子束光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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