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刘昊

作品数：6 被引量：10H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

  • 17个江苏省
共 17 条 记 录，以下是 1-10
杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
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柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 碳化硅 4H-SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋晓峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC 减薄 激光退火 电流密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 GAN 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC HEMT H型 SIC 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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