国家自然科学基金(69876007)
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
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- 相关机构：复旦大学浙江大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SOIMOSFET二维数值模拟器的设计
- 1999年
- 介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。
- 吴东平黄宜平竺士炀
- 关键词：SOIMOSFET
- 智能剥离SOI高温压力传感器被引量：11
- 2001年
- 采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约
- 黄宜平竺士炀李爱珍鲍敏杭沈绍群王瑾吴东平
- 关键词：SOI压力传感器
- 双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延被引量：6
- 2000年
- 报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺 .对获得的外延层作了 XRD、XTEM和扩展电阻等测量 ,测量结果表明硅外延层单晶性好 ,并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向 .硅外延层为 P型 ,电阻率大于 1 0 0 Ω·cm.
- 王瑾黄靖云黄宜平李爱珍包宗明竺士炀叶志镇
- 关键词：多孔硅硅外延
- 用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术(英文)
- 2001年
- 采用在阳极化反应时改变电流强度的办法 ,在高掺杂的 P型硅 (111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层 .用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜 .在室温下 ,该外延硅片同另一生长有热二氧化硅的硅片键合在一起 ,在随后的热处理过程中 ,键合对可在多孔硅处裂开 ,从而使外延的单晶硅膜转移到具有二氧化硅的衬底上以形成 SOI结构 .扫描电镜、剖面投射电镜、扩展电阻和霍尔测试表明
- 竺士炀李爱珍黄宜平
- 关键词：SOI材料多孔硅硅外延硅片键合
