您的位置: 专家智库 > >

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

作品数:23,721 被引量:154H指数:6
相关作者:多新中更多>>
相关机构:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中芯国际集成电路制造(天津)有限公司中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 23,567篇专利
  • 132篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 2篇标准

领域

  • 2,675篇电子电信
  • 751篇自动化与计算...
  • 408篇文化科学
  • 114篇金属学及工艺
  • 89篇经济管理
  • 87篇电气工程
  • 52篇化学工程
  • 48篇一般工业技术
  • 41篇矿业工程
  • 34篇建筑科学
  • 30篇医药卫生
  • 28篇交通运输工程
  • 24篇理学
  • 23篇轻工技术与工...
  • 20篇环境科学与工...
  • 8篇机械工程
  • 7篇石油与天然气...
  • 3篇农业科学
  • 2篇天文地球
  • 2篇水利工程

主题

  • 10,388篇半导体
  • 4,816篇半导体器件
  • 4,588篇栅极
  • 3,842篇刻蚀
  • 3,725篇导体
  • 3,700篇半导体结构
  • 3,048篇栅极结构
  • 2,844篇介质层
  • 2,356篇晶体管
  • 2,247篇掩膜
  • 2,010篇衬底
  • 1,858篇晶圆
  • 1,400篇掺杂
  • 1,341篇互连
  • 1,316篇光刻
  • 1,243篇沟道
  • 1,194篇电子装置
  • 1,158篇阻挡层
  • 1,157篇基底
  • 1,156篇电路

机构

  • 23,713篇中芯国际集成...
  • 7,765篇中芯国际集成...
  • 481篇中芯国际集成...
  • 239篇中芯国际集成...
  • 108篇武汉新芯集成...
  • 42篇中芯国际集成...
  • 37篇中芯集成电路...
  • 22篇上海交通大学
  • 21篇成都成芯半导...
  • 13篇中国科学院
  • 10篇芯电半导体(...
  • 7篇中国科学院微...
  • 6篇复旦大学
  • 4篇常州瑞择微电...
  • 4篇上海新傲科技...
  • 3篇同济大学
  • 3篇上海大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇辽宁科技学院

作者

  • 6篇程秀兰
  • 5篇汪辉
  • 4篇黄其煜
  • 4篇吴承荣
  • 3篇朱萍
  • 3篇向阳辉
  • 2篇杨立吾
  • 2篇申华
  • 2篇于国强
  • 2篇孙晓玮
  • 2篇吕昕
  • 2篇俞跃辉
  • 2篇王曦
  • 2篇宋志棠
  • 1篇刘彦云
  • 1篇蔡茂庆
  • 1篇谢华清
  • 1篇高品
  • 1篇曹羽欧
  • 1篇王俊宇

传媒

  • 24篇半导体技术
  • 20篇电子与封装
  • 16篇中国集成电路
  • 8篇集成电路应用
  • 4篇微电子学
  • 3篇Journa...
  • 3篇电子设计应用
  • 2篇计算机集成制...
  • 2篇电子科技
  • 2篇中国科技信息
  • 2篇科技与企业
  • 2篇环境科学与管...
  • 2篇环境科技
  • 1篇环境工程
  • 1篇工业工程与管...
  • 1篇工业用水与废...
  • 1篇国外电子元器...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子与信息学...

年份

  • 605篇2024
  • 992篇2023
  • 860篇2022
  • 1,129篇2021
  • 1,487篇2020
  • 1,647篇2019
  • 2,095篇2018
  • 2,038篇2017
  • 2,130篇2016
  • 1,970篇2015
  • 1,350篇2014
  • 1,198篇2013
  • 1,264篇2012
  • 1,503篇2011
  • 970篇2010
  • 1,004篇2009
  • 913篇2008
  • 279篇2007
  • 103篇2006
  • 120篇2005
23,721 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光罩及检测结构
本实用新型揭示了一种光罩及检测结构。本实用新型提供的光罩,包括第一模块区、第二模块区和第三模块区,所述第二模块区围绕所述第一模块区,所述第三模块区围绕所述第二模块区,所述第三模块区包括多个线条,每个线条的线宽依次增大,所...
易旭东
文献传递
一种重布线层结构
本实用新型提供一种重布线层结构包括:重布线层主体部和植球部,主体部上设有至少一个挖除主体部部分材料形成的去除部,去除部分布于植球部的周围。本实用新型的一种重布线层结构,用于解决现有技术中重布线层内应力大时,推球剪切力低的...
沈哲敏李广宁
文献传递
半导体结构及半导体结构的形成方法
一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:衬底,所述衬底包括切割道区,所述切割道区包括切除区,所述切除区包括沿切割道区延伸方向排列的若干探针区和若干位于相邻探针区之间的间隔区,至少一个所述间隔区为器件区,至少一个所...
牛刚余其凯
文献传递
磁性隧道结及其形成方法
本申请提供一种磁性隧道结及其形成方法,所述磁性隧道结包括:自由层、固定层以及位于所述自由层和固定层之间的复合隧道层;所述复合隧道层包括绝缘层和辅助绝缘层,所述绝缘层和辅助绝缘层形成超晶格结构。所述磁性隧道结的形成方法包括...
杨成成
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有沿第一方向延伸的初始栅极结构,初始栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区,初始栅极结构侧部的基底上形成有层间介质层,层间介质层覆盖初始栅极结构侧壁,基底沿第一方...
王楠
单侧刻蚀偏差测量方法及设备
本发明提供了一种单侧刻蚀偏差测量方法及设备,所述单侧刻蚀偏差测量方法包括基于同一坐标系的第一设计图案和第二设计图案,以及分别与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的第一检测图案和第二检测图案;将所述第一检测图案定位于...
孟阳王兴荣王良王伟斌刘庆炜
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成隔离膜;在所述隔离膜内形成贯穿所述隔离膜厚度的通孔;形成填充满所述通孔的鳍部,所述鳍部顶部与所述隔离膜顶部齐平;去除部分厚度所述隔离膜,剩余所述隔离膜作...
周飞
文献传递
半导体结构及其形成方法
本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成栅极结构;在所述栅极结构两侧形成第一源漏掺杂层;在所述栅极结构两侧的第一源漏掺杂层表面形成第二源漏掺杂层,所述第一源漏掺杂层与栅极结构之间的间...
唐粕人
文献传递
静电放电保护结构及其形成方法
一种静电放电保护结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底上具有鳍部,所述衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域,鳍部包括第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部;形成第一掺杂层;形成第二掺杂层和第三掺杂层;形成第一电极...
陶佳佳
文献传递
高压检测电路
本发明提供一种高压检测电路,包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管以及第三NMOS晶体管,其中:所述第一PMOS晶体管的栅端用于连接电源电压、源端用于连接待检测的编程高压信号、漏端连接所述第一NM...
彭家旭
文献传递
共2,372页<12345678910>
聚类工具0