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中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

作品数：9,222 被引量：24H指数：3
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(天津)有限公司北京科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金北京市教育委员会共建项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 9,195篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇标准

领域

  • 1,595篇电子电信
  • 409篇自动化与计算...
  • 255篇文化科学
  • 48篇电气工程
  • 47篇经济管理
  • 42篇金属学及工艺
  • 30篇矿业工程
  • 26篇一般工业技术
  • 25篇建筑科学
  • 23篇交通运输工程
  • 14篇化学工程
  • 13篇理学
  • 12篇医药卫生
  • 10篇轻工技术与工...
  • 5篇石油与天然气...
  • 5篇机械工程
  • 4篇环境科学与工...
  • 1篇天文地球
  • 1篇水利工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 5,149篇半导体
  • 2,563篇导体
  • 2,559篇半导体结构
  • 2,062篇栅极
  • 1,956篇半导体器件
  • 1,540篇栅极结构
  • 1,503篇刻蚀
  • 1,181篇介质层
  • 878篇衬底
  • 868篇掩膜
  • 742篇掺杂
  • 722篇晶圆
  • 700篇基底
  • 669篇电子装置
  • 660篇晶体管
  • 589篇侧墙
  • 563篇沟道
  • 527篇分立
  • 518篇电学性能
  • 474篇牺牲层

机构

  • 9,222篇中芯国际集成...
  • 7,765篇中芯国际集成...
  • 10篇中芯国际集成...
  • 2篇北京科技大学
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇北华航天工业...
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京化工大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇北京市社会科...
  • 1篇电信科学技术...
  • 1篇黎明化工研究...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇苏州晶瑞化学...
  • 1篇北京华大九天...

作者

  • 1篇孙春宝
  • 1篇邢奕
  • 1篇马晓鑫
  • 1篇檀朝彬
  • 1篇毛海央
  • 1篇王丹妮
  • 1篇李超波
  • 1篇段旭琴
  • 1篇张兴
  • 1篇陈波
  • 1篇王荣明

传媒

  • 2篇安全
  • 2篇电子工业专用...
  • 2篇集成电路应用
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇进展
  • 1篇人口与经济
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇中国集体经济
  • 1篇科技情报开发...
  • 1篇电子器件
  • 1篇消防技术与产...
  • 1篇金属功能材料
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇软件导刊
  • 1篇项目管理技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇现代商业
  • 1篇现代工业经济...
  • 1篇第九届全国环...

年份

  • 299篇2024
  • 728篇2023
  • 747篇2022
  • 1,013篇2021
  • 1,301篇2020
  • 820篇2019
  • 1,106篇2018
  • 917篇2017
  • 144篇2016
  • 413篇2015
  • 603篇2014
  • 590篇2013
  • 192篇2012
  • 89篇2011
  • 130篇2010
  • 125篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
共 9,222 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体测试结构
本实用新型提供一种半导体测试结构，包括：MIM电容阵列，包括若干个呈阵列分布的MIM电容块；所述MIM电容阵列包括第一测试区域及第二测试区域，所述第一测试区域及所述第二测试区域均包括多个MIM电容块；每个所述MIM电容块...
孙涛
文献传递
研磨垫调整器清洗装置及化学机械研磨装置
本实用新型公开了一种研磨垫调整器清洗装置及化学机械研磨装置，所述研磨垫调整器清洗装置包括一清洗杯和至少一个喷嘴，所述研磨垫调整器位于所述清洗杯上方，所述喷嘴固定于所述清洗杯的周壁，用于向所述清洗杯上方的研磨垫调整器喷洒清...
唐强
文献传递
封装方法
一种封装方法，包括：提供多个晶圆，晶圆包括键合面，晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆和/或第二晶圆进行边缘减薄处理，从键合面一侧沿第一晶圆和/或第二晶圆的边缘减薄部分宽度的晶圆，使得第一晶圆和/或第二晶圆边缘的厚度小...
史鲁斌
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；介质层，覆盖栅极结构和源漏掺杂层的顶部；源漏插塞，贯穿栅极结构两侧的介质层并与源漏掺杂层顶部电连接，源漏插塞沿栅极结...
苏柏青金吉松苏柏松王俊
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向排布的有效区和隔离区，且所述有效区位于所述隔离区两侧并与所述隔离区相邻，所述基底上具有第一鳍部和平行于所述第一鳍部的第二鳍部，且所述第一鳍部和第二...
邱晶涂武涛陈建王彦
文献传递
光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法
一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的...
陈术
文献传递
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区和位于相邻器件区之间的隔离区，器件区和隔离区的基底上形成有栅极结构，栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，露出栅极结构顶部；去除隔离区的栅极结构以及其底部的部...
周飞
LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法
本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，LDMOS器件包括：位于漂移区内的漏区；位于体区内的源区，基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨栅极结构，所述源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同；位于所述体...
王孝远王刚宁彭坤辜良智蒲贤勇
文献传递
栅压自举开关电路、采样保持模块及电子装置
本发明提供一种栅压自举开关电路、采样保持模块及电子装置，所述栅压自举开关电路包括电荷泵和用作开关的MOS开关管，所述电荷泵包括用于在第一时钟信号的控制下向所述MOS开关管提供栅端控制电压的栅压供给电路、用于在第二时钟信号...
刘飞
文献传递
补偿套刻数据的方法和系统
本发明公开了一种补偿套刻数据的方法和系统。该方法包括：获得中间目标层与下部目标层的套刻标记之间的第一偏移矢量和中间目标层与上部目标层的套刻标记之间的第二偏移矢量；将第一偏移矢量分解为第一可补偿分量和第一不可补偿分量，将第...
郭凌伊林益世
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