刘张李
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法
- 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- SOI器件总剂量辐射效应研究进展
- 绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中...
- 俞文杰张正选田浩王茹毕大伟陈明张帅刘张李
- 文献传递
- 一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构
- 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固被引量：2
- 2011年
- 本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。
- 王茹张正选俞文杰毕大炜陈明刘张李宁冰旭
- 关键词：绝缘体上硅注氧隔离总剂量辐照纳米晶
- 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
- 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
- 刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹
- 关键词：控制电路总剂量辐射效应
- 文献传递
- 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
- 2012年
- 研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.
- 胡志远刘张李邵华张正选宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 关键词：总剂量效应
- 0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应被引量：9
- 2011年
- 对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.
- 刘张李胡志远张正选邵华宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 关键词：总剂量效应MOSFET
- 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法
- 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 文献传递
- 一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构
- 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅...
- 张正选刘张李胡志远宁冰旭毕大炜陈明邹世昌
- 文献传递
- 浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展
- 2010年
- 综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。
- 刘张李邹世昌张正选毕大炜胡志远俞文杰陈明王茹
- 关键词：控制电路单粒子效应
