您的位置： 专家智库 > >

吴汇焱

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇导电
  • 3篇纳米
  • 3篇反应磁控溅射
  • 3篇SI
  • 3篇传导电子
  • 3篇N
  • 2篇电路
  • 2篇子层
  • 2篇阻挡层
  • 2篇金薄膜
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇集成电路
  • 2篇合金
  • 2篇合金薄膜
  • 2篇NB
  • 2篇超大规模集成
  • 2篇超大规模集成...

机构

  • 7篇西安交通大学

作者

  • 7篇吴汇焱
  • 6篇宋忠孝
  • 6篇徐可为
  • 3篇吴胜利
  • 3篇刘纯亮
  • 3篇刘录平
  • 3篇岳晴雯
  • 3篇史彦慧
  • 3篇马凌志
  • 2篇何国华
  • 2篇钱旦
  • 2篇李雁淮
  • 2篇范丽娜
  • 1篇马大衍
  • 1篇熊斯梁
  • 1篇王剑锋

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法
本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N<Sub>2</Sub>/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以Zr靶与Si靶进行反应磁控溅射...
宋忠孝吴汇焱吴胜利徐可为史彦慧刘纯亮刘录平马凌志岳晴雯
文献传递
Nb-Si-N表面传导电子发射膜的制备及其特性研究
吴汇焱
关键词：显示器件微观结构场致发射
Zr含量对磁控溅射Mg-Zr-O薄膜微观结构和放电性能的影响
2011年
采用磁控溅射在玻璃基底上沉积Mg-Zr-O复合介质保护膜,研究Zr掺杂含量对薄膜微观结构和放电性能(着火电压,最小维持电压)的影响。结果发现,沉积的Mg-Zr-O薄膜晶粒细小,微观结构仍然保持MgO的面心立方NaCl型结构,所掺杂的Zr以Zr4+形式置换固溶于MgO晶格中。当掺杂Zr浓度为2.03at%时,薄膜具有最强的(200)择优取向和最小的表面粗糙度。适当Zr掺杂的Mg-Zr-O薄膜和纯MgO薄膜相比,其着火电压和最小维持电压分别降低了25和15V。
王剑锋吴汇焱宋忠孝马大衍徐可为刘纯亮
关键词：磁控溅射放电性能
Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法
本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N<Sub>2</Sub>/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时对Nb靶与Si靶进行反应磁控溅射...
宋忠孝吴汇焱吴胜利徐可为史彦慧刘纯亮刘录平马凌志岳晴雯
文献传递
W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法
本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N<Sub>2</Sub>/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以W靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉...
宋忠孝史彦慧吴胜利徐可为熊斯梁刘录平吴汇焱马凌志岳晴雯
文献传递
一种自形成梯度Zr/ZrN双层扩散阻挡层及其制备方法
本发明提供了一种自形成梯度Zr/ZrN双层扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和自析层的Cu(Zr)合金薄膜、植入于衬底和Cu(Zr)合金薄膜之间并作为预阻挡的纳米晶ZrN，以及沉积在Cu...
宋忠孝何国华李雁淮钱旦范丽娜吴汇焱徐可为
文献传递
一种Ru-RuO/Ru-Ge-Cu自形成双层非晶扩散阻挡层及其制备方法
本发明提供了一种Ru-RuO/Ru-Ge-Cu自形成双层非晶扩散阻挡层及其制备方法，扩散阻挡层体系包括衬底、沉积在衬底上并作为种子层和析出层的Cu(Ru)合金薄膜、植入于衬底和Cu(Ru)合金薄膜之间并作为预阻挡和耗尽层...
宋忠孝何国华李雁淮钱旦范丽娜吴汇焱徐可为
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0