朱春节
- 作品数：11 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 基于序进应力加速实验评价失效率的新方法被引量：1
- 2007年
- 基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160～310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性.
- 郭春生李秀宇朱春节马卫东吕长志李志国
- 关键词：失效率
- 开关电源发展与趋势
- 本文介绍了开关电源(SWPS)发展现状,详细分析了开关电源的发展趋势,提出了我国开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
- 朱春节郭春生李志国吕长志
- 关键词：开关电源高频化
- 文献传递
- 开关电源模块可靠性研究
- 本文分析了某军用开关电源模块的工作原理以及关键点波形,找出了开关电源模块中易于失效的关键元件,提出了目前开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
- 朱春节马卫东郭春生李志国吕长志
- 关键词：开关电源可靠性寿命评价
- 文献传递
- 开关电源模块可靠性的研究被引量：4
- 2008年
- 本文分析了某军用开关电源模块的工作原理以及关键点波形,找出了开关电源模块中易于失效的关键元件,提出了目前开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
- 朱春节郭春生李志国吕长志
- 关键词：开关电源可靠性
- VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
- 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及...
- 李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花
- 关键词：VLSIULSI金属化系统金属离子电迁移
- 文献传递
- 多层金属化系统中的蓄水池效应被引量：1
- 2007年
- 对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大。设计了12种不同的蓄水池结构,并进行电迁移实验;考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素。
- 李秀宇吴月花李志国郭春生刘朋飞朱春节
- 关键词：互连线电迁移
- 电源模块中关键器件可靠性的研究
- 对当前应用较广泛的DC/DC电源模块中关键器件-VDMOS场效应晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)的可靠性进行了研究.使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法-恒定电应力温度斜坡法(CETRM)...
- 吕长志马卫东朱春节段毅谢雪松张小玲郭春生李志国
- 关键词：DC/DC电源模块可靠性加速寿命试验VDMOSSBD
- 文献传递
- 开关电源模块可靠性研究
- 本文分析了某军用开关电源模块的工作原理以及关键点波形,找出了开关电源模块中易于失效的关键元件,提出了目前开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题．
- 朱春节马卫东郭春生李志国吕长志
- 关键词：开关电源可靠性
- 文献传递
- 退火温度及存储对辐照后VDMOS参数恢复特性影响
- 2010年
- 对VDMOS各样品进行总剂量3KGy（Si）的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因。然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释。试验结果表明：γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω。在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复。高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平。
- 单尼娜吕长志李志国张小玲郭春生朱春节
- 关键词：VDMOS辐照阈值电压退火
- VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
- 对于 VLSI/ULSI 中 W 通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移（EM）寿命的影响很大．本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置...
- 李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花
- 关键词：互连线电迁移
- 文献传递
