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吕长志

作品数:149 被引量:307H指数:11
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京工业大学博士启动基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 70篇期刊文章
  • 44篇会议论文
  • 30篇专利
  • 5篇科技成果

领域

  • 100篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇理学
  • 1篇水利工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 29篇晶体管
  • 27篇可靠性
  • 15篇电源
  • 13篇电路
  • 13篇电阻
  • 11篇ALGAN/...
  • 10篇电源模块
  • 10篇加速寿命试验
  • 10篇ALGAN/...
  • 10篇HEMT
  • 10篇IGBT
  • 9篇双极晶体管
  • 9篇半导体
  • 8篇电子镇流器
  • 8篇镇流器
  • 8篇电子镇流
  • 7篇电学法
  • 7篇砷化镓
  • 7篇开关电源
  • 6篇直流

机构

  • 149篇北京工业大学
  • 5篇北京燕东微电...
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇首钢工学院
  • 1篇天津大学
  • 1篇深圳信息职业...
  • 1篇闽江学院
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇信息产业部
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 149篇吕长志
  • 86篇谢雪松
  • 76篇张小玲
  • 46篇李志国
  • 38篇冯士维
  • 17篇郭春生
  • 12篇马卫东
  • 11篇彭振宇
  • 11篇齐浩淳
  • 10篇丁广钰
  • 9篇佘烁杰
  • 8篇程尧海
  • 8篇王东凤
  • 7篇朱春节
  • 7篇张跃宗
  • 7篇王明珠
  • 7篇郭敏
  • 7篇刘扬
  • 7篇黄月强
  • 6篇何焱

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 10篇微电子学
  • 8篇Journa...
  • 7篇北京工业大学...
  • 4篇电子产品可靠...
  • 4篇功能材料与器...
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十三届全国...
  • 3篇中国电子学会...
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇测控技术
  • 2篇四川兵工学报
  • 2篇现代电子技术
  • 2篇2010中国...
  • 2篇第十二届全国...
  • 2篇中国电子学会...
  • 2篇2010第十...
  • 1篇核技术
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 8篇2014
  • 12篇2013
  • 5篇2012
  • 11篇2011
  • 19篇2010
  • 15篇2009
  • 13篇2008
  • 15篇2007
  • 14篇2006
  • 10篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 6篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 2篇1995
149 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种电子镇流器的自启动电路
本发明公开了一种基于电子镇流器功率因数校正(Power Factor Correction)电路的自启动电路(Starter Circuit)。该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(...
谢雪松彭振宇张小玲齐浩淳佘硕杰杨娟郭敏吕长志
AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究
2009年
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27~250℃进行实验比较。发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制。而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaN SBD相反。实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后减小的趋势。
李菲吕长志段毅张小玲李颖张志国
关键词:肖特基二极管温度二维电子气
InAlN/AlN/GaN HEMT电学特性仿真与分析被引量:1
2012年
研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真。通过理论分析,结合TCAD软件,与常规AlGaN/AlN/GaNHEMT进行对比。对栅长为1μm的器件进行仿真,结果表明,器件的最大跨导为450mS/mm,最大电流密度为2A/mm,电流增益截止频率fT=15GHz,最高振荡频率fmax=35GHz。
杨娟张小玲吕长志
关键词:HEMTTCAD
掺杂的Pt-AIGaN/GaN异质结构肖特基接触的势垒
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)是微波,大功率应用的优秀之选。但由于存在应变的AlGaN/GaN异质结极化效应较大,其肖特基接触的势垒高度的计算不能采用传统的计算方法来实现。在此,给出了计算应变掺杂的A...
张小玲宋迪谢雪松吕长志武利袁颖李志国
关键词:氮化镓肖特基势垒极化效应高电子迁移率晶体管
文献传递
国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究
2013年
选择国产三端可调正输出稳压器进行60Co-γ电离辐照实验,研究其电离总剂量效应及损伤变化规律。实验结果发现,基准电压、电压调整率、电流调整率、纹波抑制比是敏感参数,在电离辐射环境中发生明显的退化。结合电路结构,分析了敏感参数退化的原因,探讨了基准电压源和误差放大器等内部关键模块对稳压器抗辐照性能的影响。
孙江超张小玲张彦秀谢雪松吕曼吕长志
关键词:线性稳压器总剂量效应
GaAs MESFET热阻测试仪
吕长志谢雪松
项目背景:砷化镓-金属一半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)又称肖特基势垒栅场效应晶体管,是当前应用中最主要的微波功率晶体管。而其热阻值是它的重要功率性能参数,并直接影响着它的寿命和可靠性,因此GaAs MESF...
关键词:
AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
2005年
研究了20℃ ̄-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。
张浩吕长志朱修殿徐立国杨集
关键词:ALGAN/GANHEMT阈值电压
半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置
本实用新型属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂,周期长,有的有破坏性。本装置:被测器件(401)放在恒温平台(403)上;计算机(100)通过接口(200)接采集器(205);(205)分三路:一路接三路开关...
冯士维谢雪松吕长志程尧海
文献传递
半导体激光器热阻测试仪
吕长志谢雪松
项目背景:光电子技术已经成为信息时代的核心技术,而光电子技术的关键器件是高可靠性的半导体激光器(LD)。正如大家所知,影响其寿命的重要参数之一是其热阻值,因此半导体激光器的热阻测试仪是器件生产厂家和可靠性评估单位必不可少...
关键词:
关键词:半导体激光器
税务申报器及计算机申报软件
吕长志冯士维
该产品是该校独立开发的应用于税务系统申报的高科技产品。几年来已在全国40多个区县级税务局得到了推广应用。销售税务申报器6万多台。计算机申报软件1万多台。产品适用范围:该产品适用于国家税务系统的增值税发票纳税申报系统,也可...
关键词:
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