杨玉芬
- 作品数：19 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器
- 1990年
- 本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。
- 杨玉芬张黄河王保强侯梦会吴晓东彭斌
- 关键词：雪崩管振荡器调制器
- 亚微米栅高电子迁移率晶体管的二维数值分析
- 张兴宏杨玉芬
- 关键词：晶体管迁移率
- 量子阱共振隧道二极管
- 杨玉芬王保强
- 关键词：隧道二极管半导体材料光学共振
- 高功率宽带电调耿氏振荡器
- 1991年
- 一、引言在许多微波系统中,压控振荡器是一个很重要的部件。特别是在ECM中,系统的性能与压控振荡器的线性电压调频以及调频速度密切相关。要获得宽的电调范围,除了利用电容变化大的调谐变容管之外,采用电抗补偿的方法去改善调谐带宽已取得了明显的效果。在本文中,我们利用新研制成功的八毫米频段变容管,得到了性能优良的电调振荡器。最大调谐带宽达2GHz。通常,输出功率大于40mW。最佳的振荡器,在1GHz的电调带宽内。
- 吴晓东杨玉芬王保强侯梦会彭斌
- 关键词：耿氏振荡器振荡器宽带电调
- AlGaAs/GaAs HEMT中界面态对沟道层电场特性影响的二维数值研究被引量：4
- 1998年
- 本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场的二维分布，详细研究了不同固定界面态密度对沟道中横向电场和纵向电场的影响．
- 张兴宏杨玉芬王占国
- 关键词：HEMT砷化镓镓铝砷化合物
- 频率覆盖210-270GHz短毫米波3倍频器
- 杨玉芬
- 关键词：微波倍频器倍频器电子电路
- 亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造
- 1989年
- 本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10^(15)cm^(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.
- 杨玉芬陈宗圭张矩
- 关键词：MOSFET掺杂调制
- 高稳定的恒温８ｍｍ Ｇｕｎｎ振荡器
- 杨玉芬王保强
- 关键词：微波振荡器等效电路电路设计半导体材料
- 毫米波InAlAs/InGaAs/InP HEMT沟道中电子的二维分布
- 首次建立了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，此模型是基于薛定谔方程和泊松方程自洽求解。根据这个模型，他们计算得到了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＨＥＭＴ沟道中二维电子...
- 杨玉芬张兴宏
- 毫米波耿氏管功率合成器
- 1991年
- 一个性能较佳的八毫米雪崩管振荡器涉及到器件制造、脉冲调制器和微波振荡电路三部分工作。只当每一部分工作都能达到较高水平才有可能做出一个较为满意的实用化的脉冲固态源。我们在器件制造、脉冲调制器和微波振荡电路都进行了大量的研究工作,已获得了实用化的脉冲振荡器。
- 杨玉芬王保强张黄河吴晓东侯梦会彭斌
- 关键词：雪崩管振荡器毫米波脉冲功率
