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汪师俊

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇氮化硅
  • 3篇淀积
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇气相淀积
  • 2篇半导体
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇电路
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇淀积技术
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇质谱
  • 1篇吸杂
  • 1篇离子

机构

  • 6篇上海交通大学

作者

  • 6篇汪师俊
  • 5篇沈天慧
  • 3篇蔡琪玉
  • 2篇李积和
  • 2篇何莲萍

传媒

  • 5篇微电子学与计...
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 3篇1993
  • 1篇1990
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究被引量：1
1993年
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。
汪师俊蔡琪玉沈天慧
关键词：气相淀积氮化硅
化学汽相淀积技术（二十一）
1990年
沈天慧汪师俊
关键词：化学汽相淀积半导体工艺等离子体
用多晶硅吸杂和SiO_2背封工艺提高硅片质量被引量：5
1997年
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO^2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺稳定，硅片已远销国外。
沈天慧李积和何莲萍陈青松汪师俊
关键词：吸杂二氧化硅硅片多晶硅MOS电路
SiH_4－O_2体系LPCVD　SiO_2薄膜的工艺及其应用
1995年
本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。
汪师俊何莲萍李积和
关键词：二氧化硅薄膜LPCVD半导体器件
光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质
1993年
采用红外吸收光谱(IR)、俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析.
汪师俊蔡琪玉沈天慧
关键词：硅膜氮化硅薄膜二次离子质谱SIMS
光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性
1993年
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.
汪师俊蔡琪玉沈天慧
关键词：光化学气相淀积可靠性氮化硅
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