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李积和

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇SIH
  • 2篇SIO
  • 2篇LPCVD
  • 1篇电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇吸杂
  • 1篇化学汽相沉积
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅片
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇MOS电路
  • 1篇O

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇李积和
  • 2篇汪师俊
  • 2篇沈天慧
  • 2篇何莲萍

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ＳｉＨ＃-[4]和Ｏ＃-[2]体系ＬＰＣＶＤ ＳｉＯ＃-[2]的设备及工艺
沈天慧李积和
关键词：氧化硅薄膜生长化学汽相沉积
用多晶硅吸杂和SiO_2背封工艺提高硅片质量被引量：5
1997年
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO^2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺稳定，硅片已远销国外。
沈天慧李积和何莲萍陈青松汪师俊
关键词：吸杂二氧化硅硅片多晶硅MOS电路
SiH_4－O_2体系LPCVD　SiO_2薄膜的工艺及其应用
1995年
本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。
汪师俊何莲萍李积和
关键词：二氧化硅薄膜LPCVD半导体器件
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共1页<1>
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