牛旭东
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展
- 本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来。
- 何进牛旭东宋岩张兴王阳元
- 关键词：双栅MOSFET解析模型CMOS器件
- 文献传递
- BSIM4和ULTRA-BULK模型对称性和连续性的检验
- 2010年
- 以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA-BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明:工业标准模型BSIM4在电荷、电流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷,而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型ULTRA-BULK却表现出必需的连续性和对称性。既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的,那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展。
- 李博牛旭东宋岩何进林信南
- 关键词：解析模型连续性对称性
- 新一代CMOS模型ULTRAS在电路模拟器中的实现及验证和BSIM模型参数提取
- 随着集成电路技术迅猛发展，器件特征尺寸不断减少、集成度不断提高，MOSFET器件模型扮演着越来越重要的角色，而且集成电路设计对MOSFET模型提出了更高的要求。BSIM系列解析MOSFET模型无论在半导体工业界还是在研究...
- 牛旭东
- 关键词：MRC
- 一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型
- 2006年
- 提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.
- 何进陶亚东边伟刘峰牛旭东宋岩
- 关键词：MOSFETS器件物理
- 对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验被引量：2
- 2006年
- 本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷(charge-sheet)模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验.相对于以基本的MOSFET器件物理为基础的Pao-Sah模型结果,大多数片电荷模型在不同的工作区域内都会出现不同程度的反型层电荷计算误差.为了模拟沟道电流,MOSFET片电荷模型必须使用一个半经验的沟道电流方程.这个近似会导致沟道电流方程和反型层电荷方程之间物理上的不自恰,从而使计算的沟道电流结果与Pao-Sah模型相比有近10%的误差.这些基本的检验结果表明:为了保持基本的MOSFET器件物理内容和Pao-Sah模型的高精度,以表面势为基础的片电荷模型还需要一些根本的器件物理改进和进一步的模型精度提高.
- 何进牛旭东张钢刚张兴
- 关键词：MOSFETS器件物理
