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陶亚东

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇双栅
  • 1篇双栅MOSF...
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇碳纳米管场效...
  • 1篇器件物理
  • 1篇量子
  • 1篇量子传输
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇解析模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇MOSFET...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇陶亚东
  • 1篇何进
  • 1篇牛旭东

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳纳米管场效应晶体管的全能带量子传输模拟及体硅CMOS参数提取
随着传统体硅CMOS器件特征尺寸的不断缩短，一方面，依照目前的这种趋势预测，在未来的十到十五年这种缩短的极限将会达到;另一方面，作为硅和体硅工艺可能的替代者，越来越多的新材料和新技术被广泛地研究着。在这个至关紧要的过渡时...
陶亚东
关键词：碳纳米管场效应晶体管量子传输
一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型
2006年
提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.
何进陶亚东边伟刘峰牛旭东宋岩
关键词：MOSFETS器件物理
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共1页<1>
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