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王诣斐

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇光刻
  • 4篇硅衬底
  • 4篇衬底
  • 3篇淀积
  • 3篇气相淀积
  • 3篇聚对二甲苯
  • 3篇刻蚀
  • 3篇化学气相淀积
  • 3篇光刻胶
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇水性
  • 2篇图形化
  • 2篇自组装
  • 2篇网格
  • 2篇网格结构
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子工艺
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇反应离子

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇王诣斐
  • 6篇吴文刚
  • 4篇钱闯
  • 4篇杨增飞
  • 2篇张凯
  • 2篇马鹏程

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种图形化纳米颗粒自组装制造方法
本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻...
吴文刚杨增飞钱闯王诣斐
文献传递
一种超疏水性硅衬底制造方法
本发明涉及一种超疏水性硅衬底制造方法，其步骤包括：通过传统的微电子工艺对硅衬底进行光刻、刻蚀，加工出微米级别的硅柱阵列；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀硅衬底；将纳米颗粒溶液进行去离子水稀释配比，得到纳米颗粒悬浊液；将亲水化处...
吴文刚王诣斐杨增飞钱闯
一种超疏水性硅衬底制造方法
本发明涉及一种超疏水性硅衬底制造方法，其步骤包括：通过传统的微电子工艺对硅衬底进行光刻、刻蚀，加工出微米级别的硅柱阵列；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀硅衬底；将纳米颗粒溶液进行去离子水稀释配比，得到纳米颗粒悬浊液；将亲水化处...
吴文刚王诣斐杨增飞钱闯
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一种垂直方向纳米网格结构的制备方法
本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO<Sub>2</Sub>薄膜；（2）在所述SiO<Sub>2</Sub>薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光...
吴文刚张凯马鹏程王诣斐
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一种垂直方向纳米网格结构的制备方法
本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO<Sub>2</Sub>薄膜；（2）在所述SiO<Sub>2</Sub>薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光...
吴文刚张凯马鹏程王诣斐
一种图形化纳米颗粒自组装制造方法
本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻...
吴文刚杨增飞钱闯王诣斐
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