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马鹏程

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇刻蚀
  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇反应离子
  • 3篇反应离子刻蚀
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体激元
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇衍射
  • 2篇衍射效应
  • 2篇深反应离子刻...
  • 2篇网格
  • 2篇网格结构
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇介质
  • 2篇介质界面
  • 2篇光刻
  • 2篇表面等离子体
  • 2篇表面等离子体...

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇马鹏程
  • 4篇吴文刚
  • 2篇王诣斐
  • 2篇张凯
  • 2篇樊姣荣

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于扇贝效应表面等离子体激元耦合纳米阵列加工工艺
本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括：采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀，再进行金属镀膜得到所述三维“金属纳米结构阵列‑纳米间隔层‑金属薄膜”结构。金属纳米结构发...
吴文刚樊姣荣马鹏程谌灼杰
文献传递
基于扇贝效应表面等离子体激元耦合纳米阵列加工工艺
本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括：采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀，再进行金属镀膜得到所述三维“金属纳米结构阵列-纳米间隔层-金属薄膜”结构。金属纳米结构发...
吴文刚樊姣荣马鹏程谌灼杰
新型纳米硅栅流道和超亲疏水性衬底的制备研究
本文首先结合电子束光刻和硅深刻蚀工艺，创造性地提出了一种利用刻蚀沟槽侧壁的扇贝形貌来制备三维纳米硅栅阵列的方法，并应用于纳米流道中。本文首先获得了在固定刻蚀菜单下的扇贝结构特征尺寸和产生纳米硅栅的掩模宽度有效范围，然后通...
马鹏程
关键词：刻蚀工艺
一种垂直方向纳米网格结构的制备方法
本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO<Sub>2</Sub>薄膜；（2）在所述SiO<Sub>2</Sub>薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光...
吴文刚张凯马鹏程王诣斐
文献传递
一种垂直方向纳米网格结构的制备方法
本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO<Sub>2</Sub>薄膜；（2）在所述SiO<Sub>2</Sub>薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光...
吴文刚张凯马鹏程王诣斐
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