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羊建坤

作品数:6 被引量:45H指数:4
供职机构:河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇硅单晶
  • 2篇单晶生长
  • 1篇电池
  • 1篇悬浮液
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元法
  • 1篇粘度
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇熔体
  • 1篇熔体结构
  • 1篇软件模拟
  • 1篇生长速率
  • 1篇数值模拟
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇体硅

机构

  • 6篇河北工业大学
  • 2篇北京市太阳能...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇羊建坤
  • 5篇李彦林
  • 4篇任丙彦
  • 3篇王敏花
  • 3篇刘晓平
  • 1篇任丽
  • 1篇王文静
  • 1篇李海玲

传媒

  • 2篇太阳能学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
硅单晶生长中结晶潜热释放速率与熔体结构的关系
21世纪,世界能源危机促进了光伏行业的发展。晶体硅太阳电池是光伏行业的主导产品,占市场份额的90%。与其它晶体硅太阳电池相比,单晶硅太阳电池转化效率较高,但其生产成本也高。在降低成本方面,提高太阳能硅单晶的单产(产量/炉...
任丙彦羊建坤李彦林
关键词:熔体温度梯度数值模拟
文献传递
Φ200mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究被引量:8
2007年
介绍了Φ200mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 mm/min。用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场,模拟结果表明:改造后的氩气流场被优化,界面附近的晶体纵向温度梯度增加,熔体纵向温度梯度减小。
任丙彦羊建坤李彦林
关键词:热屏有限元法
太阳能硅单晶快速生长中结晶潜热的研究
大直径硅单晶生长中,欲提高拉速就必须提高结晶速率,而要想提高结晶速率,则结晶前沿的物理状态和结晶潜热散发的良性循环就至关重要。由于硅单晶生长热场的高温性、密闭性以及影响热场条件的复杂性,很难用静态物理量来测量和研究,这也...
羊建坤
关键词:硅单晶单晶生长
文献传递
AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池被引量:12
2008年
运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本征层厚度继续增加时,短路电流密度减少、效率也随之降低。本征层能隙宽度的变化对短路电流影响很大,随能隙宽度增加,短路电流先增加,但当能隙宽度大于某一特定值时,短路电流开始下降。在不插入本征层的情况下,N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响,而开路电压随导带失配的增大逐渐增大,界面态密度会导致开压迅速下降。
任丙彦王敏花刘晓平李彦林羊建坤励旭东许颖李海玲王文静
关键词:异质结太阳电池
工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响被引量:11
2007年
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响。在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04×10^-4Ω.cm、可见光波段(400-800 nm)透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜。
任丙彦刘晓平李彦林王敏花羊建坤许颖
关键词:磁控溅射ITO薄膜溅射气压
超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究被引量:14
2008年
对硅片线切割工艺中悬浮液特性进行了理论与实验分析.测绘了悬浮液的粘度与温度特性曲线和pH值与温度特性曲线,为硅片的线切割工艺优化提供了理论和实验依据。
任丽李彦林羊建坤刘晓平王敏花
关键词:悬浮液粘度PH值温度
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