王敏花
- 作品数：8 被引量：54H指数：5
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 本征层对非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的影响
- 本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)的n型CZ-Si片...
- 王敏花高魏峰刘晓平李彦林羊建坤任丙彦曹中谦魏亚涛周永路建磊
- 关键词：异质结太阳电池
- 文献传递
- HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能被引量：12
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%.
- 任丙彦刘晓平许颖王敏花廖显伯
- 关键词：氧化铟锡薄膜射频磁控溅射
- 射频PECVD沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 由于a-Si:H薄膜优良的光电性能,其光电导和暗电导之比可高达105,光学吸收系数大于104cm-1,使其在太阳能电池和液晶大屏幕平面显示等光电器件方面得到了广泛应用。尤其是非晶硅薄膜太阳能电池,由于其制备工艺简单,材料...
- 王敏花任丙彦刘晓平李彦林羊建坤许颖李海玲王文静
- 关键词：RF-PECVDA-SI:H薄膜太阳能电池
- 文献传递
- 工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响被引量：11
- 2007年
- 工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响。在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04×10^-4Ω.cm、可见光波段（400-800 nm）透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜。
- 任丙彦刘晓平李彦林王敏花羊建坤许颖
- 关键词：磁控溅射ITO薄膜溅射气压
- AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池被引量：12
- 2008年
- 运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本征层厚度继续增加时,短路电流密度减少、效率也随之降低。本征层能隙宽度的变化对短路电流影响很大,随能隙宽度增加,短路电流先增加,但当能隙宽度大于某一特定值时,短路电流开始下降。在不插入本征层的情况下,N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响,而开路电压随导带失配的增大逐渐增大,界面态密度会导致开压迅速下降。
- 任丙彦王敏花刘晓平李彦林羊建坤励旭东许颖李海玲王文静
- 关键词：异质结太阳电池
- RF-PECVD制备非晶硅膜及HIT太阳电池的研究
- 研究开发低价,稳定,高效的的太阳电池是一项长期而艰巨的任务。而非晶硅//单晶硅异质结太阳电池既利用了低温的薄膜沉积工艺,又发挥了晶体硅高迁移率的优势,同时制备工艺简单,具有实现高效率、低成本硅太阳能电池的发展目标和产业化...
- 王敏花
- 关键词：氢化非晶硅太阳能电池
- 文献传递
- 超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究被引量：14
- 2008年
- 对硅片线切割工艺中悬浮液特性进行了理论与实验分析.测绘了悬浮液的粘度与温度特性曲线和pH值与温度特性曲线,为硅片的线切割工艺优化提供了理论和实验依据。
- 任丽李彦林羊建坤刘晓平王敏花
- 关键词：悬浮液粘度PH值温度
- 氢稀释度对氢化非晶硅膜的影响
- 在石英玻璃和单晶硅衬底上用PECVD制备氢稀释系列的氢化非晶硅膜.通过测定薄膜的透射谱计算得到薄膜厚度从而计算沉积速率.薄膜晶态比Xc通过Raman光谱解谱得到.通过傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)研究薄膜中成键情况以及...
- 王敏花刘晓平李彦林羊建坤任丙彦许颖李海玲王文静
- 关键词：石英玻璃
- 文献传递
