葛劢冲
- 作品数：19 被引量：71H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 向50nm拓进的光学光刻技术被引量：2
- 2001年
- 非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划 (ITRS)的加速 ,使光学光刻肩负着IC产业的重任 ,进一步向亚波长图形领域进军。为此 ,人们开发了大量的光学光刻扩展技术。其中包括传统的缩短波长和增大数值孔径 ,以及为了扩展最小间距线间图形的分辨力而提高部分相干性。通过这些途径 ,在 1 93nm曝光中实现了 >0 .80的数值孔径和0 .85的部分相干性 ,并将进一步向 1 57nm乃止 1 2 6nm过渡。此间 ,离轴照明 (OAI)、移相掩模(PSM)和光学邻近效应校正 (OPC)等K1因子将作为分辨力提高技术的核心 ,补充到光学光刻技术范畴。此外 ,光学光刻的扩展还将通过像场尺寸缩小和倍率增大的方法使步进扫描光刻机更好地支持并可望进入至少 70nm的技术节点 ,乃至 50nm的下一代光刻。
- 童志义葛劢冲
- 关键词：光学光刻光刻技术IC
- CMP系统技术与市场被引量：8
- 2003年
- 概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。
- 葛劢冲
- 关键词：化学机械抛光化学机械平坦化集成电路
- 第四届中国半导体封装测试技术与市场研讨会在成都圆满召开
- 2006年
- 葛劢冲
- 关键词：半导体封装测试技术行业协会电子工业
- 光学光刻技术向纳米制造挺进被引量：2
- 2004年
- 概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。
- 葛劢冲刘玄博
- 关键词：光学光刻光学邻近效应校正下一代光刻
- 制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术被引量：2
- 2001年
- 极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2
- Waikin LiHarum H.SolakFranco Cerrina葛劢冲
- 关键词：干涉光刻纳米光刻技术
- 拓展国产电子专用设备市场份额
- 2002年
- 介绍电子专用设备国产化的历史、现状和展望 ,针对高新技术国产设备市场份额小而提出了拓展国产设备市场份额的几点建议。
- 葛劢冲童志义
- 关键词：电子专用设备国产化
- 精密丝网印刷技术与设备
- 2008年
- 概述了精密丝网印刷技术工艺和用途,介绍了设备的发展历程、结构特点及工作原理,预测了技术设备今后的发展趋势。
- 孟晓华葛劢冲
- 关键词：丝网印刷技术
- 液晶显示器技术及其曝光设备(续)被引量：3
- 2002年
- 介绍了LCD器件类型和生产线概况及器件市场与发展现状 ,根据LCD器件对曝光设备的工艺特点 ,重点介绍了几种用于LCD制造的曝光设备 ,结合LCD器件目前的发展趋势 ,讨论了曝光设备面临的新课题。
- 童志义葛劢冲
- 关键词：液晶显示器LCD器件LCD市场生产线
- 国外双面对准曝光机的发展及其应用被引量：6
- 1997年
- 综述了国外近十多年来双面对准曝光机及其对准技术的发展，介绍了双面曝光机采用的红外对准技术和ＫａｒｌＳｕｓ、ＪＢＡ、ＯＡＩ、ＵＳＨＩＯＩｎｃ、Ｕｎｉｏｎ、ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＶｉｓｉｏｎｓＣｏ等公司研制的双面曝光机性能及其用途；并预测了今后电力电子器件、微机械制造、传感器件、调节器等微小功能器件的广阔市场，为双面曝光技术的发展提供了良好的发展机会和潜在的应用市场。
- 葛劢冲
- 关键词：曝光机
- 157nm光刻技术的进展
- 本文概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状.介绍了157nm光刻中各种制约因素,例如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折...
- 童志义葛劢冲
- 关键词：光刻污染控制
- 文献传递
