贾英波
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学技术大学研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究
- 1990年
- 本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模型的理论分析和实验结果进行了比较,得出不同模型所应满足的附加条件。
- 贾英波李名复周洁高季林孔梅影
- 关键词：ALGAASDX中心C-V测量
- Al_x Ga_(1-x)As中DX中心的研究进展
- 1989年
- (一)DX中心与能带结构的关系 原来Lang等认为DX中心是AlxGa1-xAs中施主杂质与空位形成的络合物。奇怪的是它的浓度与Al的成分x有关。最近的实验彻底澄清了这个问题。因为AlxGa1-xAs能带结构随x的变化,与GaAs能带结构随压力p的变化相似,如果DX中心与能带结构有关,改变压力p与改变组分x应有相似效果。Mizuta等首先发现,对GaAs加压力到20多kbar时,DLTS测量出现一个峰。他们认为这个就是DX中心对应的峰。
- 李名复贾英波单伟周洁高季林
- 关键词：ALGAASDX中心
