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郭天雷

作品数:13 被引量:25H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇PDSOI
  • 3篇单粒子
  • 3篇总剂量
  • 3篇辐照加固
  • 3篇SOI
  • 3篇SRAM
  • 2篇微控制器
  • 2篇控制器
  • 2篇SRAM单元
  • 2篇存储器
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电阻
  • 1篇阳极短路
  • 1篇瞬态
  • 1篇随机存储器
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇微处理器
  • 1篇静态存储器
  • 1篇静态随机存储...

机构

  • 10篇中国科学院微...
  • 3篇辽宁大学
  • 2篇北京中科微电...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇微电子有限公...
  • 1篇技术公司

作者

  • 13篇郭天雷
  • 6篇海潮和
  • 5篇韩郑生
  • 5篇赵发展
  • 3篇刘刚
  • 2篇周小茵
  • 2篇李多力
  • 2篇刘红
  • 2篇吴春瑜
  • 2篇赵立新
  • 1篇杨善潮
  • 1篇李晶
  • 1篇尹常永
  • 1篇许高博
  • 1篇袁国顺
  • 1篇蔡小五
  • 1篇宋文斌
  • 1篇林东生
  • 1篇李瑞宾
  • 1篇张英武

传媒

  • 3篇电子器件
  • 2篇核电子学与探...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇辽宁大学学报...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇第九届全国抗...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器
2008年
对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究。该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm。对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求。
郭天雷赵发展刘刚海潮和韩郑生袁国顺李素杰姜明哲张英武
关键词:部分耗尽SOI微控制器总剂量辐照加固
PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固被引量:4
2007年
对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM,进行总剂量为2×105rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3ns;辐照后仅为26.7ns.
郭天雷韩郑生海潮和周小茵李多力赵立新
关键词:总剂量辐照静态随机存储器
Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs被引量:1
2007年
The first domestic 1×10^6rad(Si) total dose hardened 1.2μm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.The address access time is independent of temperature from -55 to 125℃ and independent of radiation up to 1×10^6rad(Si) for the supply voltage VDD.The standby current is 0.65μA before the total dose of radiation and is only 0.80mA after radiation exposure,which is much better than the specified 10mA.The operating power supply current is 33.0mA before and only 38.1mA afterward,which is much better than the specified 100mA.
郭天雷赵发展刘刚李多力李晶赵立新周小茵海潮和韩郑生
关键词:PDSOISRAMRADIATION
抗总剂量辐照加固的PDSOIJ80C51RH微控制器
研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约...
郭天雷姜明哲张英武袁国顺许高博赵发展刘刚李多力毕津顺海潮和韩郑生李素杰
关键词:PDSOI总剂量辐照加固微控制器
文献传递
一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析被引量:2
2008年
针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH设计了两套瞬态实验方法,开发了相配套的软件和硬件,并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验,成功地获得了所需要的数据,该MCU在剂量率为1E11 rad(Si)/s的瞬态辐照环境下工作正常。同时也证明了两套测试系统的可靠性。
赵发展郭天雷蔡小五刘刚海潮和杨善潮李瑞宾林东生
关键词:瞬态SOIMCU辐照
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟被引量:7
2008年
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流。良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流。
赵发展郭天雷海潮和彭菲
关键词:单粒子效应SOISRAM
PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定被引量:2
2007年
PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷(Critical Charge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI MOSFET模型参数,通过HSPICE对SRAM 6T存储单元的临界电荷进行了模拟,指出了电源电压及SOI MOEFET寄生三极管静态增益β对存储单元临界电荷的影响,并提出了在对PDSOI CMOS SRAM进行单粒子辐照实验中,电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压.
郭天雷赵发展韩郑生海潮和
关键词:单粒子翻转PDSOISRAM
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
2007年
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
宋文斌许高博郭天雷韩郑生
2500v 1200a阳极短路型gto的工艺研究
该文首先从理论上对大功率gto的基本工作原理进行了概括性的叙述,然后在此基础上,对该文所研究的2500v 1200a阳极短路型gto器件的阳极短路基本概念做了较为详细的论述,并且详细阐述了阳极短路环结构与其它短路结构相比...
郭天雷
关键词:GTO阳极短路
文献传递网络资源链接
采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI SRAM单元
本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值.
郭天雷韩郑生张正选张恩霞愈文杰
关键词:静态存储器
文献传递
共2页<12>
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