陈可明
- 作品数：7 被引量：3H指数：2
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Ge_xSi_(1-x)/Si和Ge/Si应变层超晶格
- 1989年
- ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ和Ｇｅ／Ｓｉ应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型．本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题，列举了它在器件应用方面的例子．给出了共度生长时超晶格的临界厚度值，超晶格中ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金层能隙随成分的变化，以及界面处的能带失配值等．最后介绍了由Ｇｅ，Ｓｉ原子层有序排列而组成的新晶体．
- 陈可明张翔九王迅
- 关键词：应变层超晶格GEXSI1-X/SIGE/SI
- Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察
- 1989年
- 本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。
- 金高龙陈可明盛篪周国良蒋维栋张翔九
- 关键词：SI分子束RHEED振荡
- 电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响被引量：2
- 1990年
- 本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相位变化,而在[011]方位观测时,其相位的变化不明显,结合Si(111)面的RHEED强度摇摆曲线测量结果,表明这种与电子衍射条件有关的振荡特性变化,实际上反映了由电子多重散射机理引起的RHEED强度振荡两种情形,对RHEED强度的初始瞬态响应机理也作了探讨。
- 陈可明周铁城樊永良盛篪俞鸣人
- 关键词：电子衍射SI分子束外延RHEED
- Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究
- 1990年
- 本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15A/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。
- 陈可明金高龙盛篪俞鸣人
- 关键词：SIRHEED分子束生长动力学
- Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察被引量：3
- 1990年
- 本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED强度振荡对应的Ge外延层最大厚度都为6个原子单层(6ML),刚好跟共度生长的临界厚度h_c值相合。
- 陈可明金高龙盛篪周国良蒋维栋张翔九俞鸣人
- 关键词：SI衬底分子束衍射
- Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究
- 1990年
- 本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。
- 陈可明周国良盛篪蒋维栋张翔九
- 关键词：SI表面再构
- 反射式高能电子衍射强度振荡的自动测量系统
- 1990年
- 本文介绍一套测量反射式高能电子衍射强度振荡的简单而有效的系统,并以此对Si(111)衬底上同质外延Si时的RHEED强度振荡特性进行了观测。
- 周铁城陈可明盛篪
- 关键词：自动测量系统外延层分子束外延生长石英晶振HEED
