周国良
- 作品数：20 被引量：39H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理机械工程更多>>
- Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察
- 1989年
- 本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。
- 金高龙陈可明盛篪周国良蒋维栋张翔九
- 关键词：SI分子束RHEED振荡
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子
- 1991年
- 用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.
- 张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成
- 关键词：GESI/SI应变层超晶格声学声子
- Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的俄歇深度剖面分析
- 1991年
- 用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。
- 卫星蒋维栋周国良俞鸣人王迅
- 关键词：应变层超晶格
- Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察被引量：3
- 1990年
- 本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED强度振荡对应的Ge外延层最大厚度都为6个原子单层(6ML),刚好跟共度生长的临界厚度h_c值相合。
- 陈可明金高龙盛篪周国良蒋维栋张翔九俞鸣人
- 关键词：SI衬底分子束衍射
- 上海城镇养老保险制度变迁和数值模拟
- 本文共分十一章： 第一章，从养老保险制度在中国的地区改革主导和地区间制度的差异性，引出全文的研究对象——上海城镇养老保险制度的变迁和数值模拟，并界定了本文的研究方法、论文构架，归纳了主要的创新观点。 第二章、...
- 周国良
- 文献传递
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究被引量：5
- 1992年
- 本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.
- 段晓峰冯国光王玉田褚一鸣刘学锋盛篪周国良
- 关键词：GESI/SI超晶格双晶衍射运动学
- 政府与跨国企业关系的外部性理论分析被引量：2
- 1996年
- 政府与企业是两种类型的组织形式。我们看到,国家规模越来越小,数目越来越多,目前全世界国家数目已是二战前的三倍多;另一方面,企业规模越来越大,特别是跨国公司。1991年美国通用汽车公司总销售额为1200亿美元,相当于两个波兰的国民总产值。世界上200多个国家地区中,90%的国家地区的总产值低于通用汽车公司的总销售额,这样,伴随着企业的发展,不断壮大。
- 周国良
- 关键词：政府跨国公司企业外部性理论
- Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究被引量：3
- 1995年
- 本文通过Ｘ射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（ｘ≈０．４６）应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化，结果表明：在退火过程中，应变层发生了应变弛豫，其弛豫时间常数与退火温度有关，弛豫的激活能为０．５５ｅＶ．同时，退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散，直至为均一成份的合金层，平均扩散激活能为２．７ｅＶ，９５０℃时的扩散系数ＤＴ＝９５０℃＝１．１×１０－２０ｍ２／ｓ．在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降．
- 朱南昌陈京一胡文捷李润身许顺生周国良张翔九俞鸣人
- 关键词：超晶格材料退火衍射硅化锗
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究
- 1991年
- 在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。
- 周国良盛篪樊永良蒋维栋俞鸣人
- 关键词：硅化锗超晶格分子束外延SI
- 用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构被引量：7
- 1991年
- 用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.
- 周国良盛篪樊永良张翔九俞鸣人黄宜平
- 关键词：分子束外延单晶硅SOI结构
