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马雪丽

作品数：68 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 67篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 19篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 45篇半导体
  • 29篇半导体器件
  • 17篇阈值电压
  • 15篇导体
  • 15篇沟道
  • 14篇金属栅
  • 13篇介质层
  • 13篇衬底
  • 12篇半导体结构
  • 11篇栅极
  • 10篇纳米
  • 10篇纳米线
  • 10篇界面层
  • 10篇晶体管
  • 9篇功函数
  • 8篇堆叠
  • 8篇迁移率
  • 8篇金属
  • 8篇刻蚀
  • 7篇吸氧

机构

  • 68篇中国科学院微...
  • 1篇北方工业大学

作者

  • 68篇马雪丽
  • 68篇王文武
  • 51篇王晓磊
  • 41篇杨红
  • 34篇李永亮
  • 22篇韩锴
  • 11篇陈大鹏
  • 9篇罗军
  • 7篇闫江
  • 6篇李俊杰
  • 5篇殷华湘
  • 5篇项金娟
  • 5篇赵超
  • 1篇欧文
  • 1篇张静

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 8篇2022
  • 6篇2021
  • 11篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 11篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体结构及其形成方法
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成沟道层；对沟道层表面进行氧化处理以形成第一界面层；对第一界面层进行第一退火处理，以将第一界面层转化为第二界面层，在第二界面层上沉积第一非晶态高介电常...
马雪丽李永亮王晓磊项金娟杨红王文武
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栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件
本公开涉及栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件。本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和所述pMOSFET区分别具...
杨红马雪丽王文武韩锴王晓磊殷华湘闫江
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一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法
本发明公开了一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法，包括如下步骤：沿第一方向，在半导体衬底上形成若干鳍状结构；其中，鳍状结构包括鳍部，以及位于鳍部上交替堆叠的第一材料刻蚀结构和第二材料刻蚀结构；沿第二方向，在若干鳍...
李永亮程晓红马雪丽王晓磊杨红王文武
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一种界面优化的锗基半导体器件及其制造方法
本发明公开了界面优化的锗基半导体器件及其制造方法，通过在锗基衬底上形成具有高的热稳定性的优化界面层，而后在其上形成半导体器件，由于优化界面层具有更高的热稳定性，且与高k栅介质具有好的兼容性，从而有效提高了器件界面热稳定性...
王文武韩锴王晓磊马雪丽陈大鹏
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一种半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层；在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层；对所述器...
韩锴王文武王晓磊马雪丽陈大鹏
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
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一种CMOS纳米线及其制造方法
本发明公开了一种CMOS堆叠纳米线的制造方法，包括：提供半导体衬底，包括N阱区和P阱区；在半导体衬底上制备堆叠纳米线，包括：N阱区的第一堆叠纳米线和P阱区的第二堆叠纳米线；在第一堆叠纳米线上沉积半导体薄膜，半导体衬底的第...
马雪丽王晓磊王文武
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一种半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于确保形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述制造方法包括：提供一基底；基底上形成有介质...
李永亮程晓红赵飞马雪丽杨红王晓磊罗军王文武
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一种鳍状结构的制备方法以及半导体器件的制备方法
本发明提供鳍状结构的制备方法，包括以下步骤，提供衬底并在衬底上淀积形成氧化介质层；自氧化介质层的顶层向下刻蚀形成凹槽；自凹槽的槽底向上选择性外延形成第一外延结构；对已形成的结构进行平坦化处理形成第二外延结构；在氧化介质层...
李永亮杨红程晓红王晓磊马雪丽王文武
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括：半导体衬底以及其上的栅极区；形成于所述栅极区两侧的半导体衬底内的源/漏区；形成于所述栅极区两侧衬底上的层间介质层；形成于层间介质层内的接触孔以及形成于所述接触孔内、源...
王文武赵超韩锴马雪丽陈大鹏
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