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杨红

作品数：75 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国航空科学基金北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 37篇半导体
  • 25篇金属栅
  • 25篇半导体器件
  • 21篇栅极
  • 20篇功函数
  • 14篇衬底
  • 12篇阈值电压
  • 10篇导体
  • 10篇半导体结构
  • 10篇CMOS器件
  • 9篇叠层
  • 9篇堆叠
  • 9篇栅介质
  • 8篇退火
  • 8篇介质层
  • 8篇沟道
  • 7篇淀积
  • 7篇阻挡层
  • 7篇晶体管
  • 7篇刻蚀

机构

  • 75篇中国科学院微...
  • 2篇北方工业大学
  • 1篇西安航空计算...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 75篇杨红
  • 55篇王文武
  • 41篇马雪丽
  • 40篇王晓磊
  • 25篇李永亮
  • 18篇殷华湘
  • 13篇韩锴
  • 11篇闫江
  • 10篇张严波
  • 9篇罗军
  • 8篇徐秋霞
  • 8篇朱慧珑
  • 7篇项金娟
  • 6篇赵超
  • 6篇李俊杰
  • 3篇韦亚一
  • 2篇张青竹
  • 2篇许淼
  • 2篇赵治国
  • 2篇马小龙

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇航空科学技术

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 11篇2020
  • 10篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 6篇2015
  • 13篇2014
共 75 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体结构与其制作方法
本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括：在衬底的裸露表面上形成鳍和预盖帽层，鳍包括导电沟道部，导电沟道部的材料包括SiGe和/或Ge，衬底为Si衬底或SOI衬底，预盖帽层位于鳍的远离衬底的表面上，预盖帽层...
李永亮马雪丽王晓磊杨红王文武李超雷
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半导体设置及其制造方法
本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例半导体设置可以包括：衬底；以及在衬底上形成的第一单元半导体器件和第二单元半导体器件。第一单元半导体器件可以包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件可以包括第二栅堆叠。第一栅堆叠可以...
朱慧珑赵治国张永奎马小龙许淼殷华湘杨红
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纳米线器件的制作方法
本申请提供了一种纳米线器件的制作方法，该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上形成叠层部和假栅，叠层部位于衬底的表面上且包括交替设置的GeSi层和Ge层，假栅位于叠层部的远离衬底的表面上；步骤S2，采用氧化工艺，使得Ge...
李永亮马雪丽李俊杰王晓磊杨红王文武李超雷
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一种接触孔制备方法
本发明公开了一种接触孔制备方法，包括以下步骤：提供并在半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；在已形成的结构上依次沉积接触刻蚀停止层和层间介质牺牲层；对层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除牺牲栅极区后，进行替代栅工艺...
李永亮王晓磊杨红马雪丽王文武
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
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CMOS器件及其制造方法
一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS的栅极金属层包...
殷华湘杨红张严波
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一种半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于确保形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述制造方法包括：提供一基底；基底上形成有介质...
李永亮程晓红赵飞马雪丽杨红王晓磊罗军王文武
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一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备
本发明公开一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及集成电路制造技术领域，以采用含钴材料作为扩散阻挡层，降低导电互连结构的总电阻，提升导电互连结构的电传输特性。所述电子器件包括：衬底、形成在衬底上方的至少一层介电...
张丹罗军都安彦高建峰赵超杨红王文武
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一种鳍状结构的制备方法以及半导体器件的制备方法
本发明提供鳍状结构的制备方法，包括以下步骤，提供衬底并在衬底上淀积形成氧化介质层；自氧化介质层的顶层向下刻蚀形成凹槽；自凹槽的槽底向上选择性外延形成第一外延结构；对已形成的结构进行平坦化处理形成第二外延结构；在氧化介质层...
李永亮杨红程晓红王晓磊马雪丽王文武
文献传递
一种半导体结构及其制作方法
本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底之上的介质层；位于所述介质层之上的高k材料层；位于所述高k材料层之上的金属栅层；以及位于所述金属栅层之上的高功函数层，其中，所述高...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
文献传递
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