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李永亮

作品数：221 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术交通运输工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 217篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 113篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 143篇半导体
  • 110篇半导体器件
  • 73篇沟道
  • 65篇晶体管
  • 48篇刻蚀
  • 44篇源区
  • 42篇纳米
  • 34篇纳米线
  • 32篇叠层
  • 31篇电子设备
  • 26篇金属栅
  • 24篇衬底
  • 22篇牺牲层
  • 21篇迁移率
  • 21篇工作性能
  • 21篇工作性
  • 17篇电路
  • 17篇迁移
  • 17篇集成电路
  • 16篇导电类型

机构

  • 221篇中国科学院微...
  • 2篇北方工业大学

作者

  • 221篇李永亮
  • 157篇王文武
  • 69篇李俊杰
  • 63篇罗军
  • 48篇殷华湘
  • 34篇马雪丽
  • 32篇张青竹
  • 31篇李俊峰
  • 30篇王晓磊
  • 29篇徐秋霞
  • 26篇王桂磊
  • 25篇杨红
  • 23篇杨涛
  • 14篇高建峰
  • 11篇朱慧珑
  • 11篇傅剑宇
  • 6篇曹磊
  • 5篇项金娟
  • 4篇叶甜春
  • 4篇赵超

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 14篇2024
  • 59篇2023
  • 35篇2022
  • 26篇2021
  • 35篇2020
  • 18篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
共 221 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件的制造方法
本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在制造浅槽隔离层的过程中，提高鳍状结构的热稳定性，从而提升半导体器件的品质。所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底。衬底上形成有沿第一方向延伸的若干鳍状结构。...
李永亮程晓红张青竹王文武
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一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备
本发明提出了一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备，该半导体器件，包括：衬底，衬底为硅衬底或SOI衬底；SiGe鳍，形成在衬底上方，其中，SiGe鳍是在沿水平方向上含有不同Ge含量的Si<Sub>x</Sub>...
李永亮都安彦吴振华李超雷王文武
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一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法
本发明公开了一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其包括N阱区和P阱区；在半导体衬底上制备纳米线或片沟道；在纳米线或片沟道上形成栅极介质层，并在N阱区和P阱区的栅极介质层上依次形成第一金属...
李永亮程晓红马雪丽王晓磊杨红王文武
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环栅纳米线晶体管及其制备方法
本发明提供了一种环栅纳米线晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供表面设置有鳍结构的衬底，鳍结构包括沿远离衬底的方向依次交替层叠设置的牺牲层与沟道层；形成跨鳍结构的假栅，鳍结构由沿长度方向顺次连接的第一鳍体段、第...
李俊杰吴振华李永亮周娜张青竹王桂磊李俊峰王文武
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一种环栅晶体管及其制造方法
本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提高沟道区中各层纳米线/片之间的导通均匀性，进而利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底...
李永亮毛晓烔
一种鳍状结构及半导体器件的制备方法
本发明提供鳍状结构的制备方法，包括步骤：自衬底外延形成第一高迁移率材料层，或，依次外延应变缓冲层和第一高迁移率材料层以形成叠层；自顶层向下形成若干鳍状结构；淀积氧化介质层并进行第一次平坦化处理；选择性去除至少一个鳍状结构...
李永亮程晓红罗军殷华湘王文武
一种半导体结构及其制备方法
本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构的制备方法在形成鳍部之前，在单晶半导体衬底上首先形成非单晶膜层，然后即可以在预设区域直接形成鳍部。这是由于所述非单晶膜层的存在，使得在形成所述鳍部的过程中，在非...
李永亮王文武
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半导体结构与其制作方法
本申请提供了一种半导体结构与其制作方法，该制作方法包括：在衬底上依次设置多个应变缓冲层，各应变缓冲层的材料为SiGe，任意相邻的两个应变缓冲层中，与衬底之间距离大的应变缓冲层中Ge的重量含量大于另一个应变缓冲层中Ge的重...
李永亮王晓磊杨红马雪丽李超雷王文武
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半导体器件与其制作方法
本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：在衬底的表面上设置假鳍层；对假鳍层进行刻蚀，在衬底上形成一个假鳍或者多个间隔设置的假鳍；在衬底的裸露表面上以及假鳍的侧壁上设置第二保护材料，形成第二保护层；刻蚀去除...
李俊杰李永亮王文武
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一种半导体结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层。其中，界...
马雪丽李永亮王晓磊项金娟杨红王文武
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