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高亮

作品数:7 被引量:26H指数:3
供职机构:中南大学冶金科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:冶金工程电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇冶金工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇湿法
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学合成
  • 2篇锑精矿
  • 2篇锑矿
  • 2篇硫化锑精矿
  • 2篇精矿
  • 2篇辉锑矿
  • 2篇
  • 1篇电积
  • 1篇丁基
  • 1篇循环工艺
  • 1篇直接电化学
  • 1篇直接电化学合...
  • 1篇湿法冶金
  • 1篇四丁基
  • 1篇四丁基溴化铵
  • 1篇前驱体
  • 1篇溴化
  • 1篇溴化铵

机构

  • 7篇中南大学

作者

  • 7篇高亮
  • 6篇杨建广
  • 5篇陈胜龙
  • 3篇刘小文
  • 3篇吴玉山
  • 3篇杨济豪
  • 1篇李静
  • 1篇唐谟堂

传媒

  • 2篇材料导报
  • 2篇中南大学学报...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇湿法冶金

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
“牺牲”阳极法直接电化学合成5-二乙基胺钽
2011年
采用金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,溶解到添有某一惰性溶剂AB的二乙胺中电解,直接电化学合成5-二乙基胺钽(PDEAT),研究支持电解质的种类与浓度、电解液的温度、阴阳极距以及槽电压的影响。选取最佳合成条件为:四丁基溴化铵浓度0.04 mol/L,温度为50℃,极距为0.4 cm,槽电压为50 V,电合成的产品在5 kPa的压力下减压蒸馏分离得到粗级产品,采用红外光谱对产品进行初步的表征,说明5-二乙基胺钽能够采用直接电化学合成法制备。
陈胜龙杨建广高亮刘小文吴玉山杨济豪
关键词:电化学合成红外光谱二乙胺四丁基溴化铵
一种辉锑矿湿法清洁冶金新工艺被引量:1
2011年
介绍了一种辉锑矿湿法清洁冶金新工艺。新工艺包括浸出、净化、隔膜电积等主要工序。考察了隔膜电解工序温度、添加剂种类及浓度、[Sb3+]和电流密度对沉积锑的形貌和质量的影响。优化试验结果表明:在温度45℃,[Sb3+]=70 g/L、[H+]=4 mol/L、[Cl-]=5.8 mol/L、[NaCl]=40 g/L、电流密度250 A/m2条件下,可获得表面形貌良好的阴极锑,阴极电流效率99%,吨锑电耗约1 200 kWh。以隔膜电积阳极室生成的SbCl5为氧化剂,在温度85℃、[H+]=3.5 mol/L、液固体积质量比8∶1、氧化剂过量系数为理论量的1.1倍、浸出时间1.5 h条件下对辉锑矿进行氧化浸出,锑浸出率达99.5%。
杨建英高亮杨建广
关键词:辉锑矿电积湿法冶金
硫化锑精矿湿法清洁冶金新工艺被引量:18
2012年
研究硫化锑精矿的浸出—净化—电积的闭路循环实验。考察温度、添加剂种类及浓度、Sb3+浓度和电流密度对沉积锑的形貌和质量的影响,得到避免爆锑形成的优化条件:阴极电流效率高达99%,每吨锑电耗约为1 200 kW.h。利用隔膜电积阳极室生成的SbCl5为浸出剂,得到SbCl5浸取硫化锑矿的最佳条件:温度为85℃,H+浓度为3.5 mol/L,液固比为8:1,SbCl5过量系数为理论量的1.1倍,浸出时间为1.5 h,在此条件下,硫化锑矿的浸出率达到99.5%。浸出液经过锑粉还原、硫化除重金属及Na3PO2除砷,得到的净化液用于电沉积能够得到质量良好的沉积物。
高亮杨建广陈胜龙刘小文李静唐谟堂
电化学合成5-二乙基胺钽及钽阳极电溶解机理被引量:1
2012年
以金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,在二乙胺体系中直接电化学合成5-二乙基胺钽(Ta[N(C2H5)2]5)。采用红外光谱(FT-IR)、核磁共振(NMR)、差热分析(TG-DTG.)及等离子质谱(ICP-Mass)对5kPa压力下减压蒸馏分离得到Ta[N(C2H5)2]5产品进行了分析检测。分析结果表明得到的产品确实是纯度99.997%的有机胺钽化合物Ta[N(C2H5)2]5。钽阳极溶解机理研究表明,钽阳极在电流的作用下发生点腐蚀,钽阳极在电流及四丁溴化铵的作用下首先生成Ta(NH10C4)n(Br)m,之后Ta(NH10C4)n(Br)m不断被传输到阴极后继续与二乙胺反应,逐步脱去溴离子Br-,并最终生成有机胺钽盐Ta[N(C2H5)2]5。
杨建广吴玉山杨济豪陈胜龙高亮刘小文
关键词:电化学合成
沉积法制备TaN薄膜的研究现状及其应用
2010年
TaN薄膜是一种重要的高新技术材料,主要介绍了物理气相沉积法(PVD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)制备TaN薄膜的工艺技术,评述了它们各自的优缺点。从前驱体的选择方面详细评述了MOCVD法和ALD法制备TaN薄膜的研究进展,比较和评述了各类前驱体的优缺点。总结了TaN薄膜的应用现状以及薄膜制备过程中的主要影响因素,并简要展望了其发展方向。
高亮杨建广陈胜龙杨济豪吴玉山
关键词:PVDMOCVDALD前驱体
Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展被引量:5
2010年
Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。
陈胜龙杨建广高亮
关键词:TA2O5
硫化锑精矿湿法清洁冶金新工艺研究
针对现有复杂硫化锑精矿湿法处理工艺存在的流程长、废水排放量大等问题,本论文提出并系统研究了硫化锑精矿氯盐氧化浸出—净化—隔膜电积新工艺。新工艺首先以SbCl5-HCl作为浸出剂浸出辉锑矿,之后对浸出液进行还原净化,所得净...
高亮
关键词:辉锑矿氯化冶金闭路循环工艺
共1页<1>
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