吴玉山
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- “牺牲”阳极法直接电化学合成5-二乙基胺钽
- 2011年
- 采用金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,溶解到添有某一惰性溶剂AB的二乙胺中电解,直接电化学合成5-二乙基胺钽(PDEAT),研究支持电解质的种类与浓度、电解液的温度、阴阳极距以及槽电压的影响。选取最佳合成条件为:四丁基溴化铵浓度0.04 mol/L,温度为50℃,极距为0.4 cm,槽电压为50 V,电合成的产品在5 kPa的压力下减压蒸馏分离得到粗级产品,采用红外光谱对产品进行初步的表征,说明5-二乙基胺钽能够采用直接电化学合成法制备。
- 陈胜龙杨建广高亮刘小文吴玉山杨济豪
- 关键词：电化学合成红外光谱二乙胺四丁基溴化铵
- 电化学合成5-二乙基胺钽及钽阳极电溶解机理被引量：1
- 2012年
- 以金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,在二乙胺体系中直接电化学合成5-二乙基胺钽(Ta[N(C2H5)2]5)。采用红外光谱(FT-IR)、核磁共振(NMR)、差热分析(TG-DTG.)及等离子质谱(ICP-Mass)对5kPa压力下减压蒸馏分离得到Ta[N(C2H5)2]5产品进行了分析检测。分析结果表明得到的产品确实是纯度99.997%的有机胺钽化合物Ta[N(C2H5)2]5。钽阳极溶解机理研究表明,钽阳极在电流的作用下发生点腐蚀,钽阳极在电流及四丁溴化铵的作用下首先生成Ta(NH10C4)n(Br)m,之后Ta(NH10C4)n(Br)m不断被传输到阴极后继续与二乙胺反应,逐步脱去溴离子Br-,并最终生成有机胺钽盐Ta[N(C2H5)2]5。
- 杨建广吴玉山杨济豪陈胜龙高亮刘小文
- 关键词：电化学合成
- 沉积法制备TaN薄膜的研究现状及其应用
- 2010年
- TaN薄膜是一种重要的高新技术材料,主要介绍了物理气相沉积法(PVD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)制备TaN薄膜的工艺技术,评述了它们各自的优缺点。从前驱体的选择方面详细评述了MOCVD法和ALD法制备TaN薄膜的研究进展,比较和评述了各类前驱体的优缺点。总结了TaN薄膜的应用现状以及薄膜制备过程中的主要影响因素,并简要展望了其发展方向。
- 高亮杨建广陈胜龙杨济豪吴玉山
- 关键词：PVDMOCVDALD前驱体
