魏成连
- 作品数：14 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺历史地理更多>>
- 油中金属元素的能量色散X射线荧光分析 Ⅰ.氧化镁吸收油热分解制样法
- 1992年
- 本文介绍了用氧化镁吸收油热分解的制样方法,而后用能量色散X射线荧光分析法测定油中微量元素。该方法避免了复杂的基体效应校正,作者用此方法测定了油中七种元素,其探测限为几个μg/g。
- 刘亚雯李道伦胡金生范钦敏魏成连
- 关键词：探测限
- 用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布被引量：1
- 1995年
- 用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。
- 吴强刘亚雯魏成连袁汉章
- 关键词：半导体材料单晶硅XRF锗
- 青铜器的X-荧光不破坏分析方法研究被引量：4
- 1993年
- 不破坏分析法是文物保护和考古研究中最有希望的一种方法。X-荧光不破坏分析法已广泛用于多种合金的分析,但在国内把这种技术应用在古青铜的分析还不多,已发表的工作还是以放射源激发为主。由于放射源强度的限制,对小含量组分(例如含量为千分之一以下)分析还存在一定困难。X 射线管激发可进行小岔量组分的分析.但由于轫致辐射引起的高本底.影响了灵敏度的提高.采用 X-射线结合二次靶激发,通过对青铜标样的研究.以降低本底.提高方法灵敏度.并与放射源激发的结果进行了比较。
- 胡金生李道伦魏成连刘亚文范饮敏李虎侯
- 关键词：X青铜
- 用同步辐射XRF和基本参数法分析
- 1995年
- 利用同步辐射Ｘ荧光分析技术，采用基本参数法，定量分析了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的含量。程序用标样进行了检验，误差小于１２％．
- 吴强刘亚雯魏成连
- 关键词：单晶硅锗X射线荧光分析基本参数法
- 用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量：2
- 1994年
- 利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。
- 吴强刘亚雯魏成连袁汉章朱腾闻莺
- 关键词：X射线荧光硅
- 用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布被引量：1
- 1992年
- 半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
- 刘亚雯吴强胡金生魏成连袁汉章朱腾闻莺
- 关键词：XRF硅砷
- 古铜镜赝品的表面组分研究被引量：1
- 1989年
- 本文系统地比较了汉镜和赝品的表面组分、均匀度和杂质。实验结果表明赝品表面含锡量低,杂质含量高。为判别真假青铜镜提供了有用的信息。
- 李道伦魏成连范钦敏刘亚雯李虎侯
- 关键词：赝品
- Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索被引量：1
- 1998年
- 采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。
- 彭良强魏成连刘亚雯张天保吴强
- 关键词：化学位移X射线荧光
- 油中金属元素的能量色散X射线荧光分析——Ⅱ.油分析中水标样的应用被引量：1
- 1992年
- 油中微量金属元素的分析在工业、环境、石油、地化等许多领域中都具有重要的意义。在上文“油中金属元素的能量色散X射线荧光分析Ⅰ”中,我们介绍了一种用氧化镁吸收油然后进行热分解的制样方法,采用能量色散X荧光分析技术进行微量元素的测定。该方法避免了复杂的基体效应校正问题,得到了满意的浓度与荧光强度的线性关系。但在油的定量分析中,配制油的系列标准样品是个困难问题。在国内,目前尚无系列有机金属标准可利用。
- 刘亚雯李道伦范钦敏魏成连
- 关键词：金属元素能量色散X射线荧光
- 纳克级全反射X射线荧光分析被引量：7
- 1990年
- 本文报道了由高能物理所自行研制的全反射X射线荧光分析装置,在X射线荧光分析中,应用这个装置,将使入射X射线束产生的散射本底大大降低,从而显著地改善了X射线荧光分析的检测限与灵敏度。在初始束路程上,由于能量切割反射体的应用,使初始谱的低能部分本底也明显下降。文中还给出了全反射条件下六种元素的检测限。
- 范钦敏刘亚雯李道伦魏成连胡金生
- 关键词：全反射X射线荧光分析
