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刘亚雯

作品数:17 被引量:35H指数:4
供职机构:中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇荧光
  • 9篇X射线荧光
  • 8篇荧光分析
  • 6篇全反射
  • 6篇X射线荧光分...
  • 5篇XRF
  • 5篇X射线
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 4篇
  • 3篇痕量
  • 3篇痕量分析
  • 3篇半导体
  • 3篇
  • 2篇射线
  • 2篇掠射
  • 2篇金属
  • 2篇金属元素
  • 2篇
  • 2篇AS

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇中国社会科学...

作者

  • 17篇刘亚雯
  • 11篇魏成连
  • 7篇吴强
  • 6篇范钦敏
  • 5篇李道伦
  • 4篇袁汉章
  • 3篇胡金生
  • 3篇朱腾
  • 3篇吴应荣
  • 3篇肖辉
  • 3篇闻莺
  • 2篇洪蓉
  • 2篇潘巨祥
  • 2篇巢志瑜
  • 1篇李虎侯
  • 1篇张天保
  • 1篇彭良强

传媒

  • 9篇光谱学与光谱...
  • 3篇核技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇分析试验室
  • 1篇第七届光谱分...

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1989
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究被引量:7
1994年
本文研究了同步辐射X射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ge的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ge的二维分布图。实验结果表明,同步辐射X射线微荧光分析法对样品无导电性要求,可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ge在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明,在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性,掺杂元素向单晶中心区域富集,这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。
闻莺袁汉章朱腾刘亚雯
关键词:半导体微区分析
古铜镜赝品的表面组分研究被引量:1
1989年
本文系统地比较了汉镜和赝品的表面组分、均匀度和杂质。实验结果表明赝品表面含锡量低,杂质含量高。为判别真假青铜镜提供了有用的信息。
李道伦魏成连范钦敏刘亚雯李虎侯
关键词:赝品
用同步辐射XRF和基本参数法分析
1995年
利用同步辐射X荧光分析技术,采用基本参数法,定量分析了单晶硅中掺杂元素Ge的含量。程序用标样进行了检验,误差小于12%.
吴强刘亚雯魏成连
关键词:单晶硅X射线荧光分析基本参数法
同步辐射单色光全反射XRF实验被引量:4
1996年
本文介绍了在BSRF利用同步辐射单色光进行的全反射X-射线荧光实验,在单色能量为10.1keV(高于Zn元素的K吸收边9.66keV)下,测试了水标准样、生物标样(猪肝、桃叶)及其他试样(如人尿样等),得到了比较好(ng/g级)的检出限。
潘巨祥吴应荣肖延安巢志瑜洪蓉刘亚雯吴强
关键词:全反射痕量分析
掠入射、全反射及其在X射线荧光分析中的应用被引量:2
1993年
掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析,给X射线荧光分析技术带来了突破性的发展.目前,利用全反射X荧光分析技术对微量元素进行分析,其检测限已达到pg级,硅片表层杂质分析的检测限达到109个原子/cm2.文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子.
刘亚雯
关键词:掠入射全反射X辐射荧光分析
用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量:2
1994年
利用同步辐射X射线微区分析技术,研究了单晶硅中掺杂元素As浓度的定量分布,并对结果进行了讨论。
吴强刘亚雯魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词:X射线荧光
同步辐射白光全反射XRF在痕量元素检测的初步应用研究被引量:3
1996年
叙述了同步辐射白光全反射X射线荧光分析的实验装置,给出了几种标准物质TXRF实验的检出限,并对实验结果进行了讨论。
吴应荣潘巨祥肖延安巢志瑜洪蓉刘亚雯吴强
关键词:全反射X射线荧光分析痕量分析
油中金属元素的能量色散X射线荧光分析——Ⅱ.油分析中水标样的应用被引量:1
1992年
油中微量金属元素的分析在工业、环境、石油、地化等许多领域中都具有重要的意义。在上文“油中金属元素的能量色散X射线荧光分析Ⅰ”中,我们介绍了一种用氧化镁吸收油然后进行热分解的制样方法,采用能量色散X荧光分析技术进行微量元素的测定。该方法避免了复杂的基体效应校正问题,得到了满意的浓度与荧光强度的线性关系。但在油的定量分析中,配制油的系列标准样品是个困难问题。在国内,目前尚无系列有机金属标准可利用。
刘亚雯李道伦范钦敏魏成连
关键词:金属元素能量色散X射线荧光
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布被引量:1
1992年
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
刘亚雯吴强胡金生魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词:XRF
油中金属元素的能量色散X射线荧光分析 Ⅰ.氧化镁吸收油热分解制样法
1992年
本文介绍了用氧化镁吸收油热分解的制样方法,而后用能量色散X射线荧光分析法测定油中微量元素。该方法避免了复杂的基体效应校正,作者用此方法测定了油中七种元素,其探测限为几个μg/g。
刘亚雯李道伦胡金生范钦敏魏成连
关键词:探测限
共2页<12>
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