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吴强

作品数：8 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学

主题

  • 5篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 4篇荧光
  • 4篇XRF
  • 4篇X射线荧光
  • 2篇荧光分析
  • 2篇全反射
  • 2篇痕量
  • 2篇痕量分析
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线荧光分...
  • 2篇硅
  • 2篇锗
  • 2篇AS
  • 1篇单色光
  • 1篇谱仪
  • 1篇化学位移
  • 1篇基本参数法
  • 1篇Β谱
  • 1篇白光

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 8篇吴强
  • 7篇刘亚雯
  • 5篇魏成连
  • 3篇袁汉章
  • 2篇朱腾
  • 2篇洪蓉
  • 2篇潘巨祥
  • 2篇巢志瑜
  • 2篇吴应荣
  • 2篇闻莺
  • 1篇胡金生
  • 1篇张天保
  • 1篇彭良强

传媒

  • 3篇光谱学与光谱...
  • 2篇核技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇分析测试学报

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索被引量：1
1998年
采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。
彭良强魏成连刘亚雯张天保吴强
关键词：化学位移X射线荧光
用同步辐射XRF和基本参数法分析
1995年
利用同步辐射Ｘ荧光分析技术，采用基本参数法，定量分析了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的含量。程序用标样进行了检验，误差小于１２％．
吴强刘亚雯魏成连
关键词：单晶硅锗X射线荧光分析基本参数法
同步辐射单色光全反射XRF实验被引量：4
1996年
本文介绍了在ＢＳＲＦ利用同步辐射单色光进行的全反射Ｘ－射线荧光实验，在单色能量为１０．１ｋｅＶ（高于Ｚｎ元素的Ｋ吸收边９．６６ｋｅＶ）下，测试了水标准样、生物标样（猪肝、桃叶）及其他试样（如人尿样等），得到了比较好（ｎｇ／ｇ级）的检出限。
潘巨祥吴应荣肖延安巢志瑜洪蓉刘亚雯吴强
关键词：全反射痕量分析
用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量：2
1994年
利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。
吴强刘亚雯魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词：X射线荧光硅
同步辐射白光全反射XRF在痕量元素检测的初步应用研究被引量：3
1996年
叙述了同步辐射白光全反射Ｘ射线荧光分析的实验装置，给出了几种标准物质ＴＸＲＦ实验的检出限，并对实验结果进行了讨论。
吴应荣潘巨祥肖延安巢志瑜洪蓉刘亚雯吴强
关键词：全反射X射线荧光分析痕量分析
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布被引量：1
1992年
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
刘亚雯吴强胡金生魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词：XRF硅砷
用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布被引量：1
1995年
用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。
吴强刘亚雯魏成连袁汉章
关键词：半导体材料单晶硅XRF锗
用同步辐射X射线荧光微区分析技术研究单晶硅中掺杂元素的分布
吴强
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