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刘崇

作品数:3 被引量:10H指数:3
供职机构:西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金高等学校学科创新引智计划西北工业大学基础研究基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 1篇电场
  • 1篇电畴
  • 1篇动力学
  • 1篇乙炔
  • 1篇英文
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电畴
  • 1篇热力学
  • 1篇外电场
  • 1篇外电场作用
  • 1篇吸附构型
  • 1篇相场
  • 1篇相场法
  • 1篇相场法模拟
  • 1篇相场方法
  • 1篇密度泛函理论...

机构

  • 3篇西北工业大学
  • 1篇北京计算科学...

作者

  • 3篇刘崇
  • 2篇范晓丽
  • 2篇刘燕
  • 1篇陈铮
  • 1篇王永欣
  • 1篇周广钊
  • 1篇张超
  • 1篇杜秀娟

传媒

  • 2篇物理化学学报
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
乙炔在Ge(001)表面吸附的反应路径(英文)被引量:3
2012年
采用第一性原理方法研究了乙炔分子在Ge(001)表面的吸附反应.通过系统考察0.5和1.0ML覆盖度时形成di-σ和end-bridge构型的反应路径,研究在表面形成di-σ和paired-end-bridge构型的反应几率.除了表面反应以外,本文还涉及了亚表层Ge原子参与的吸附反应,乙炔在亚表层原子上吸附形成的亚稳态结构sub-di-σ,是形成end-bridge结构的第二条途径,此反应机理对于表面吸附结构的形成起重要的作用.与乙炔分子不同的是,表面以下原子参与时乙烯分子的吸附反应为吸热反应.综合热力学和动力学的分析表明,paired-end-bridge构型是乙炔分子吸附的主要构型,此结论解释了乙炔分子在Ge(001)表面吸附构型的实验结果.对于乙烯和乙炔两分子在Ge(001)表面吸附的分析比较揭示了导致两者之间差异的原因.
范晓丽刘燕刘崇刘焕明
关键词:密度泛函理论热力学动力学
外电场作用下铁电畴极化反转机制的相场法模拟被引量:3
2013年
采用相场方法模拟了铁电畴的形成及外电场作用下的极化反转,探讨了不同外电场作用下的极化反转机制.结果表明:无外电场作用下,铁电畴的形成是一个形核和长大的过程,系统达到稳定时具有4种铁电畴,其形貌均为平行四边形,其中180°反向畴沿-45°方向规则分布,90°反向畴呈阶梯状规则分布;恒定电场作用下,铁电畴产生90°和180°极化反转,极化方向有利的铁电畴长大,系统达到稳定时,平均极化增加,且恒定电场越大,平均极化越大;交变电场作用下,铁电畴产生极化反转,形成电滞回线和蝶形回线,电场频率或者强度越大,矫顽电场和剩余极化越大,温度越高,矫顽电场和剩余极化越小.
周广钊王永欣刘崇陈铮
关键词:铁电畴极化反转外电场相场方法
甲硫醇在Cu(111)表面的解离吸附:密度泛函理论研究(英文)被引量:6
2013年
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了CH_3SH分子在Cu(111)表面的吸附反应.系统地计算了S原子在不同位置以不同方式吸附的一系列构型,第一次得到未解离的CH_3SH分子在Cu(111)表面顶位上的稳定吸附构型,该构型吸附属于弱的化学吸附,吸附能为0.39 eV.计算同时发现在热力学上解离结构比未解离结构更加稳定,解离的CH_3S吸附在桥位和中空位之间,吸附能为0.75-0.77 eV计算分析了未解离吸附到解离吸附的两条反应路径,最小能量路径的能垒为0.57 eV.计算结果还表明S—H键断裂后的H原子并不是以H_2分子的形式从表面解吸附而是以与表面成键的形式存在.通过比较S原子在独立的CH_3SH分子和吸附状态下的局域态密度,发现S—H键断裂后S原子和表面的键合强于未断裂时S原子和表面的键合.
范晓丽刘燕杜秀娟刘崇张超
关键词:密度泛函理论吸附构型解离局域态密度
共1页<1>
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