谢雪松
- 作品数：152 被引量：373H指数：11
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技工业技术基础科研项目北京市优秀人才培养资助更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
- 一种电子镇流器的自启动电路
- 本发明公开了一种基于电子镇流器功率因数校正(Power Factor Correction)电路的自启动电路(Starter Circuit)。该电路由电流偏置单元(1)、或非门单元(2)、充放电单元(3)、反相器单元(...
- 谢雪松彭振宇张小玲齐浩淳佘硕杰杨娟郭敏吕长志
- 掺杂的Pt-AIGaN/GaN异质结构肖特基接触的势垒
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)是微波,大功率应用的优秀之选。但由于存在应变的AlGaN/GaN异质结极化效应较大,其肖特基接触的势垒高度的计算不能采用传统的计算方法来实现。在此,给出了计算应变掺杂的A...
- 张小玲宋迪谢雪松吕长志武利袁颖李志国
- 关键词：氮化镓肖特基势垒极化效应高电子迁移率晶体管
- 文献传递
- 国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究
- 2013年
- 选择国产三端可调正输出稳压器进行60Co-γ电离辐照实验,研究其电离总剂量效应及损伤变化规律。实验结果发现,基准电压、电压调整率、电流调整率、纹波抑制比是敏感参数,在电离辐射环境中发生明显的退化。结合电路结构,分析了敏感参数退化的原因,探讨了基准电压源和误差放大器等内部关键模块对稳压器抗辐照性能的影响。
- 孙江超张小玲张彦秀谢雪松吕曼吕长志
- 关键词：线性稳压器总剂量效应
- GaAs MESFET热阻测试仪
- 吕长志谢雪松
- 项目背景：砷化镓-金属一半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)又称肖特基势垒栅场效应晶体管，是当前应用中最主要的微波功率晶体管。而其热阻值是它的重要功率性能参数，并直接影响着它的寿命和可靠性，因此GaAs MESF...
- 关键词：
- 半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置
- 本实用新型属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关...
- 冯士维谢雪松吕长志程尧海
- 文献传递
- 半导体激光器热阻测试仪
- 吕长志谢雪松
- 项目背景：光电子技术已经成为信息时代的核心技术，而光电子技术的关键器件是高可靠性的半导体激光器(LD)。正如大家所知，影响其寿命的重要参数之一是其热阻值，因此半导体激光器的热阻测试仪是器件生产厂家和可靠性评估单位必不可少...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器
- Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性被引量：2
- 2008年
- 通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正向电压为1.65 V,从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6 mV/℃.
- 张小玲谢雪松吕长志李志国
- 关键词：肖特基接触A1GAN/GANHEMT温度特性
- 功率半导体器件安全工作区精确测量方法
- 功率半导体器件安全工作区精确测量方法涉及半导体器件安全工作区的测量。本发明通过一定的控制方法，使器件在不同的热、电条件下处于稳定状态，利用激光诱导的方式引入热斑，通过观察激光撤掉后的电学参数变化，找到临界点，在热斑即将产...
- 谢雪松刘晟豪张小玲朱文举
- 文献传递
- 基于FPGA控制的磁性薄膜材料合成的电源系统
- 本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种基于FPGA控制的磁性薄膜材料合成的电源系统，包括上位机、FPGA控制模块、功率模块，和监测反馈模块，FPGA控制模块用于接收上位机设定的预设值及接收监测反馈模块的反馈信号，经计算...
- 张小玲郑彦文谢雪松白天旭
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT器件的研制被引量：21
- 2003年
- 介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为 0 95A/mm .
- 张小玲吕长治谢雪松李志国曹春海李拂晓陈堂胜陈效建
- 关键词：A1GAN/GANHEMT
