孙小松
- 作品数：23 被引量：58H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程文化科学更多>>
- CdTe太阳能电池研究进展被引量：26
- 2000年
- 详细叙述了制备CdTe基太阳能电池的各种技术及其特点、沉积后热处理工艺、背电极工艺及CdTe基太阳电池的研究进展 ;重点讨论了近空间升华技术、氯化物热处理工艺、ZnTe :Cu背电极技术。介绍CdTe基太阳电池的应用前景 ,以及存在的问题和解决的途径。
- 张静全蔡伟郑家贵黎兵孙小松蔡亚平冯良桓
- 关键词：太阳能电池CDTE氯化物
- Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究被引量：2
- 2010年
- 采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH_4和H_2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H_2作为稀释与运载气体,CH_4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析仪(XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌.其在室温下的霍尔迁移率的值为1.22×10~3cm^2/(V·s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率.实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平整,并具备高迁移率的3C-SiC薄膜.
- 廖熙杨治美杨翰飞龚敏孙小松
- 关键词：表面碳化
- 催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线被引量：7
- 2005年
- 利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在nSi(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线。X射线衍射分析的结果表明,ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征。扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100nm,长度为2～5μm。讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理。
- 孙小松余洲王帅杨治美晋勇何毅杨文彬龚敏
- 关键词：ZNO纳米线化学气相沉积XRDSEM
- 聚合物包覆的氧化锌纳米晶体的制备和表面标定(英文)被引量：2
- 2008年
- 纳米晶体的性质不仅由表面原子所占的大的组分决定，而且由晶粒表面的晶相结构决定，因此对纳米晶体的表面的晶相结构的了解是很有必要的．氧化锌具有独特的物理和化学性质，所以它被认为是一种比较有应用前景的3维有序组装结构的基本构造单元．利用胶体化学法和尺寸选择制备了4～5nm大小的PVP包覆的氧化锌纳米晶体．用X射线衍射（XRD），高分辨透射电镜（MR-TEM），选区电子衍射（SAED），紫外可见吸收光谱（ABS）和荧光光谱（PL）对氧化锌的晶体结构和表面晶相结构进行表征，发现氧化锌晶体是结晶很好的红锌矿结构并且尺寸是单分散的．XRD，ABS和HR-TEM的测试结果都表明氧化锌晶体的尺寸是4．5nm．用HR-TEM和相应的傅立叶转换（FFT）对氧化锌的形貌和表面晶相进行研究，发现氧化锌晶体具有截角六面体形状，分别被{0001}，{0110}，和{0111}晶面包围．氧化锌的荧光光谱出现了两个典型的荧光发射，位置分别在362nm和527nm，来源于带边发射和缺陷发光．另外在400nm和470nm处也出现了弱的荧光发射，这可能与氧化锌的多面体形貌或者PVP的存在有关．
- 陈浩焦志峰伍展文余洲晋勇李智伟宋华冰何毅孙小松
- 关键词：氧化锌纳米晶体荧光光谱自组装
- 自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量：5
- 2009年
- 用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
- 李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松
- 关键词：多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
- Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究被引量：2
- 2011年
- 采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.
- 杨翰飞杨治美廖熙龚敏孙小松
- 关键词：掩蔽层残余应力
- 一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征被引量：3
- 2009年
- 采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
- 程顺昌杨治美钟玉杰何毅孙小松龚敏
- 关键词：拉曼散射光谱傅里叶变换红外光谱
- 高分子网络凝胶法制备Eu∶YAG纳米粉体及其表征被引量：2
- 2014年
- 利用高分子网络凝胶法制备了Eu∶YAG纳米粉体,样品的性能通过热重-差热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激发谱和发光光谱进行了表征。结果表明,Eu∶YAG纳米晶体的形成温度为900℃,比固相反应法低700℃;Eu∶YAG纳米粉体呈珊瑚虫状形貌,粒径大小为100-150nm;Eu∶YAG纳米粉体的荧光谱在594nm处出现最强发射峰,发光强度随着Eu3＋浓度从1at.%增加至5at.%的过程而逐渐增强,在浓度继续由6at.%增加至8at.%的过程中出现了浓度猝灭现象,并讨论了引起该现象的机理原因。
- 罗建勇陈寰姜龙孙玉阳曾天晋勇焦志峰龚敏刘俊刚孙小松
- 关键词：形貌发光
- Si基“反向外延”3C-SiC单晶薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种Si基上碳往Si中扩散，并与Si反应形成Si基上“反向外延”生长的立方碳化硅(3C-SiC)单晶薄膜及其制备方法，属于Si基新型宽禁带半导体材料制作领域。该方法是采用低压化学气相沉积法，简称LPCVD，在高...
- 杨治美龚敏孙小松
- 文献传递
- MCZ硅单晶中微缺陷的X射线衍射动力学理论统计方法的研究
- 孙小松
