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曾勇彪

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：华南理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇钛酸
  • 2篇外延层
  • 2篇敏感膜
  • 2篇结构参数
  • 2篇晶片
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管性能
  • 2篇击穿
  • 2篇击穿特性
  • 2篇管芯
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏元件
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅单晶片
  • 2篇硅外延
  • 2篇硅外延层
  • 2篇辐照
  • 2篇镧

机构

  • 5篇华南理工大学

作者

  • 5篇曾勇彪
  • 5篇黄美浅
  • 5篇李观启
  • 5篇曾绍鸿
  • 2篇黄钊洪

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种可集成多功能湿光敏元件及其制造方法
本发明是一种可集成的多功能湿光敏元件及其制造方法。其方法是在硅外延片或硅单晶片上采用氩离子镀膜技术与硅平面工艺的兼容性制成含有MIOS电容器与薄膜平面电阻器构成的复合结构,其敏感膜是在SiO<Sub>2</Sub>/Si...
李观启曾勇彪曾绍鸿黄美浅黄钊洪
文献传递
Ar^+背面轰击对肖特基势垒特性的影响被引量：3
1998年
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著．但过长的轰击时间会使改善的程度减小，甚至可能使特性变坏．实验证明，势垒特性的改善与界面态和固定电荷密度的减小有关．
李观启曾勇彪王剑飞黄美浅曾绍鸿
关键词：肖特基势垒肖特基二极管
一种提高晶体管性能的方法
本发明是一种提高晶体管性能的新方法，能广泛应用于晶体管、集成电路的生产。本发明要点是在室温和真空中用A<Sub>r</Sub><Sup>+</Sup>束辐照管芯背面来提高或调节h<Sub>FE</Sub>和f<Sub>T...
曾绍鸿李观启黄美浅曾勇彪
文献传递
一种可集成多功能湿光敏元件及其制造方法
本发明是一种可集成的多功能湿光敏元件及其制造方法。其方法是在硅外延片或硅单晶片上采用氩离子镀膜技术与硅平面工艺的兼容性制成含有MIOS电容器与薄膜平面电阻器构成的复合结构，其敏感膜是在SiO<Sub>2</Sub>/Si...
李观启曾勇彪曾绍鸿黄美浅黄钊洪
文献传递
一种提高晶体管性能的方法
本发明是一种提高晶体管性能的新方法，能广泛应用于晶体管、集成电路的生产。本发明要点是在室温和真空中用A<Sub>r</Sub><Sup>+</Sup>束辐照管芯背面来提高或调节h<Sub>FE</Sub>和f<Sub>T...
曾绍鸿李观启黄美浅曾勇彪
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