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李观启: 作品数：43 被引量：45H指数：5; 供职机构：华南理工大学理学院更多>>; 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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硅衬底Sr_(1-x)La_xTiO_3薄膜光敏特性研究: 2001年; 利用氩离子束镀膜技术在 Si O2 / Si衬底上淀积钛酸镧锶 (Sr1 - x L ax Ti O3)膜 ,并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特性 ,计算出薄膜中载流子寿命约为 2 9ms。结果表明 ,Sr1 - x L ax Ti O3薄膜在可见光区域具有较好的光敏特性 ,其灵敏度和光电导增益都比较高。在弱照度下 ,光电流随照度变化较快 ,主要与单分子复合过程相关 ;而在强照度下 ,变化趋于缓慢。; 刘玉荣李观启黄美浅曾绍鸿; 关键词：硅衬底

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO_2薄膜特性被引量：1: 2003年; 在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054～1069cm^(-1)之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO_2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×10^(10)～3×10^(11)cm^(-2)范围内;XPS分析表明,SiO_2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×10^(15)个原子。; 刘玉荣李观启黄美浅; 关键词：光CVD SIO2薄膜 XPS C-V特性

氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响: 2004年; 采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 .; 陈平黄美浅李斌李观启; 关键词：电荷存储特性退火氧空位

热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响被引量：5: 2003年; 研究热载流子效应对不同的沟道长度n-MOSFETs退化特性的影响。结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,当沟道长度小于1μm时退化加快更显著。这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释。; 朱炜玲黄美浅章晓文陈平李观启; 关键词：热载流子效应 MOSFET 跨导阈值电压可靠性

硅衬底Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜光敏特性的研究被引量：4: 2005年; 利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性。实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7eV,且可见光区域存在连续的吸收峰。该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性。光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程。通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27ms。; 宋清黄美浅李观启; 关键词：光敏特性吸收光谱频率特性薄膜电阻器硅衬底禁带宽度

氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响被引量：1: 1990年; 实验结果表明,利用O_2 /N_2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O_2/NH_3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低的抗氧化能力。; 李观启黄美浅刘百勇; 关键词：界面态

一种可集成多功能湿光敏元件及其制造方法: 本发明是一种可集成的多功能湿光敏元件及其制造方法。其方法是在硅外延片或硅单晶片上采用氩离子镀膜技术与硅平面工艺的兼容性制成含有MIOS电容器与薄膜平面电阻器构成的复合结构,其敏感膜是在SiO<Sub>2</Sub>/Si...; 李观启曾勇彪曾绍鸿黄美浅黄钊洪; 文献传递

硅衬底的SrTiO_3淀积膜的湿敏特性与机理研究被引量：3: 1998年; 对无定形多孔ＳｒＴｉＯ３膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析．该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料．实验样品用氩离子束镀膜技术在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上淀积ＳｒＴｉＯ３膜并制成平面型电阻结构．结果表明，在室温下，当相对湿度从１２％变化至５３％时，电流缓慢下降；而当相对湿度从５３％变化至９２％时，电流又显著上升，即在高湿度条件下具有良好的湿敏特性．电流及其在高湿条件下的上升率随测试频率而增大．吸附响应时间明显长于脱附时间．; 李观启尤文俊黄美浅曾绍洪黄钊洪; 关键词：硅衬底陶瓷半导体钛酸锶湿敏特性

Ar^+背面轰击对肖特基势垒特性的影响被引量：3: 1998年; 用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著．但过长的轰击时间会使改善的程度减小，甚至可能使特性变坏．实验证明，势垒特性的改善与界面态和固定电荷密度的减小有关．; 李观启曾勇彪王剑飞黄美浅曾绍鸿; 关键词：肖特基势垒肖特基二极管

光湿敏元件及特性被引量：1: 2002年; 介绍硅衬底的半导体陶瓷材料钛酸镧锶 (Sr1-x Lax Ti O3 )光湿敏元件的工作原理及结构 ,MIS结构元件的光湿敏特性参数和曲线。利用光湿敏元件研制成光湿敏传感器和测量仪 ,智能光湿敏测量仪具有软件湿度补偿、智能判断声光报警等特性。; 郭志友黄钊洪李观启黄美浅; 关键词：MIS结构相对湿度