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田慧良

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 7篇激光
  • 7篇激光器
  • 4篇反馈激光器
  • 4篇分布反馈激光...
  • 3篇单纵模
  • 3篇单纵模激光器
  • 3篇增益耦合
  • 3篇纵模
  • 3篇10GBIT...
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇信号
  • 2篇液相外延
  • 2篇增益
  • 2篇制冷
  • 2篇输出功率
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振不灵敏
  • 2篇磷化铟
  • 2篇光放大
  • 2篇光放大器

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇田慧良
  • 10篇王圩
  • 7篇张静媛
  • 7篇朱洪亮
  • 7篇周帆
  • 5篇赵玲娟
  • 3篇王鲁峰
  • 3篇汪孝杰
  • 3篇王宝军
  • 3篇边静
  • 2篇张瑞英
  • 2篇马朝华
  • 2篇王书荣
  • 1篇白云霞
  • 1篇王丽明
  • 1篇李力
  • 1篇颜学进
  • 1篇刘志宏
  • 1篇高俊华
  • 1篇高洪海

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇中国激光
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇全国第十一次...
  • 1篇全国第十一次...
  • 1篇全国第三次光...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1989
  • 1篇1986
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InGaAsP/InPPFBH激光器被引量:1
1996年
采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导过多次,本文介绍用P-InP衬底研制InGaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向的依赖关系,改进埋区的结构,使器件最高激射温度大于100℃。
张静媛王圩汪孝杰田慧良
关键词:激光器液相外延磷化铟INGAASP
10Gbit/s高T<,0>无制冷分布反馈激光器
与折射率耦合分布分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定的单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本文介绍了作者课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行单...
赵玲娟朱洪亮张静媛周帆王宝军边静王鲁峰田慧良王圩
关键词:激光器单纵模激光器增益耦合
文献传递
1.3μm低阈值大功率基横模隐埋条型InGaAsP/InP激光器
王圩张静媛田慧良
关键词:大功率激光器半导体激光器液相外延生长
10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器
与折射率耦合分布分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定的单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性。本文介绍了我课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行单纵...
赵玲娟朱洪亮张静媛周帆王宝军边静王鲁峰田慧良王圩
关键词:激光器
文献传递
长波长分布反馈激光器
王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆田慧良李力马朝华
该项目属信息技术领域课题,是为开发国产长距离大容量光纤通信用动态单纵模信号源而设立的“八五”重点攻关和“863”重大攻关项目。1.55um微米分布反馈激光器的特点在于它既处在光纤的最低损耗(0.16dB/KM)波段又是利...
关键词:
关键词:光纤通信
宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器被引量:1
2005年
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
王书荣王圩刘志宏朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆田慧良
关键词:半导体光放大器偏振灵敏度增益饱和输出功率
高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器被引量:1
2004年
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下,获得了50nm宽的3dB光带宽和小于05dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于11dB的偏振灵敏度。对于155μm波长的信号光,在200mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器。
王书荣王圩朱洪亮张瑞英赵玲娟周帆田慧良
关键词:光电子学半导体光放大器偏振不灵敏信号增益饱和输出功率
半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器被引量:1
2000年
研究了低压MOCVD下生长压力和Fe 源/In 源摩尔流量比对半绝缘InP电阻率的影响.得到了用LP-MOCVD 生长掺Fe 半绝缘InP的优化生长条件.在优化生长条件下得到的Fe-InP的电阻率为2.0×108Ω·cm ,击穿电场4×104V/cm .用半绝缘Fe-InP掩埋1.55μm 多量子阱激光器,激光器的高频调制特性明显优于反向pn 结掩埋的激光器,3dB 调制带宽达4.8GHz.
许国阳颜学进朱洪亮段俐宏周帆田慧良白云霞王圩
关键词:激光器磷化铟
10Gbit/s高T_0无制冷分布反馈激光器被引量:2
2005年
与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析.
赵玲娟朱洪亮张静媛周帆王宝军边静王鲁峰田慧良王圩
关键词:分布反馈激光器单纵模激光器增益耦合
1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器被引量:2
1989年
用两次液相外延制备了1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器.室温下无扭折直流光功率超过6mW,阈值电流为34mA,单面外微分量子效率高达33%.在室温附近的稳定单纵模工作温度范围超过43℃,波长温度系数为0.9A/K.在1.6mW输出光功率下的静态线宽为60MHz.在1GHz正弦调制下仍为单纵模输出.
王圩张静媛田慧良缪育博汪孝杰马朝华王丽明吕卉高俊华高洪海
关键词:激光器波导
共1页<1>
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