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王圩

作品数：367 被引量：184H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 228篇专利
  • 107篇期刊文章
  • 29篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 157篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 4篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 204篇激光
  • 200篇激光器
  • 76篇半导体
  • 72篇调制
  • 65篇电吸收
  • 65篇电吸收调制
  • 62篇波导
  • 55篇调制器
  • 49篇光栅
  • 49篇反馈激光器
  • 48篇单片
  • 48篇波长
  • 47篇单片集成
  • 45篇电吸收调制器
  • 44篇分布反馈激光...
  • 44篇半导体激光
  • 41篇调谐
  • 40篇刻蚀
  • 36篇可调
  • 36篇可调谐

机构

  • 361篇中国科学院
  • 6篇国家光电子工...
  • 4篇北京邮电大学
  • 4篇北方交通大学
  • 4篇北京交通大学
  • 3篇长春光机学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇北京大学
  • 2篇北京师范大学
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇香港中文大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇云南师范大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 367篇王圩
  • 152篇朱洪亮
  • 133篇赵玲娟
  • 104篇潘教青
  • 74篇周帆
  • 63篇王宝军
  • 57篇于红艳
  • 52篇梁松
  • 51篇周旭亮
  • 42篇边静
  • 30篇王鲁峰
  • 30篇张静媛
  • 27篇周代兵
  • 27篇张靖
  • 24篇陆丹
  • 22篇刘国利
  • 21篇董杰
  • 18篇张瑞英
  • 18篇汪孝杰
  • 17篇陈娓兮

传媒

  • 53篇Journa...
  • 12篇中国激光
  • 7篇物理学报
  • 6篇半导体光电
  • 5篇光电子．激光
  • 4篇光学学报
  • 4篇光子学报
  • 4篇高技术通讯
  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇激光技术
  • 2篇铁道学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇全国第14次...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇半导体情报
  • 1篇科学通报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电信科学
  • 1篇物理

年份

  • 8篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 21篇2015
  • 11篇2014
  • 16篇2013
  • 24篇2012
  • 17篇2011
  • 16篇2010
  • 9篇2009
  • 16篇2008
  • 21篇2007
  • 29篇2006
  • 26篇2005
  • 24篇2004
共 367 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
离子注入实现的ＭＱＷ混合蓝移效应
〈’＋〉离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱激光器结构，再经Ｈ〈，２〉／Ｎ〈，２〉混合气氛下的快速退火，体内ＭＷＱ层中发生组份混合，导致激光器件的激射波长蓝移７７．９ｍｍ，而未作注入的纯退火区器件蓝移只有５．...
朱洪亮汪孝杰王圩韩德俊
关键词：多量子阱激光器
多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖...
周旭亮李召松王梦琦王嘉琪于红艳潘教青王圩
文献传递
具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法
本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学...
丁颖王圩潘教青王宝军陈娓兮
文献传递
分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构
一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在...
刘扬赵玲娟朱洪亮潘教青王圩
MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
1996年
在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合．
周增圻潘钟林耀望吴荣汉王圩
关键词：MBE生长面发射激光器激光器
集成有源反馈腔的半导体激光器芯片
一种集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，包括：直调激光器，设置于所述激光器芯片的一端，用于提供光输出以及模式选择；有源反馈腔，设置于所述激光器芯片的另一端，用于提供光反馈以增加激光器芯片的直调带宽；以及电隔离区，设置于所述...
毛远峰阚强吉晨王圩
文献传递
NPN异质结双极型晶体管激光器
本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接...
梁松朱洪亮王圩
电吸收调制器的光纤对准耦合方法
一种电吸收调制器的光纤对准耦合方法，其特征在于调制器两端分别对准，调整调制器一端的锥形透镜光纤，使调制电流达到最大值，以相同的方法调整调制器另一端的光纤，也使调制电流达到最大值。通过对串联电阻的电压监控，可以探测到光电流...
孙洋陈娓兮王圩
文献传递
用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法
一种用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、n－型调制掺杂多量子阱有源区、上限制层以及盖层；步骤2：在盖层上生长二氧化硅层；步骤3：光刻腐蚀出斜角条形结构；步...
张瑞英王圩简永生
文献传递
高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)被引量：2
2001年
用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)
孙洋王圩陈娓兮刘国利周帆朱洪亮
关键词：电吸收调制器偏振不灵敏
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