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朱洪亮: 作品数：253 被引量：105H指数：6; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信电气工程文化科学理学更多>>

合作作者

王圩国家光电子工艺中心
梁松中国科学院半导体研究所
赵玲娟中国科学院半导体研究所
周帆国家光电子工艺中心
王宝军中国科学院半导体研究所

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

159篇专利
62篇期刊文章
28篇会议论文
4篇科技成果

领域

100篇电子电信
6篇电气工程
5篇文化科学
2篇金属学及工艺
2篇一般工业技术
2篇理学
1篇自动化与计算...

主题

134篇激光
124篇激光器
47篇波导
38篇调制
35篇电吸收
35篇电吸收调制
35篇半导体
34篇多量子阱
31篇波长
28篇调制器
27篇刻蚀
27篇半导体激光
27篇半导体激光器
26篇磷化铟
26篇反馈激光器
25篇单片
25篇分布反馈激光...
24篇单片集成
24篇光电
23篇光栅

机构

252篇中国科学院
4篇北京师范大学
4篇清华大学
3篇国家光电子工...
1篇华中科技大学
1篇北京航空航天...
1篇云南师范大学
1篇香港中文大学
1篇郑州轻工业学...

作者

253篇朱洪亮
152篇王圩
79篇梁松
69篇赵玲娟
45篇周帆
44篇王宝军
37篇潘教青
29篇黄永光
28篇边静
24篇张灿
23篇朱小宁
22篇王鲁峰
20篇刘国利
19篇张静媛
18篇马丽
16篇刘德伟
15篇汪孝杰
12篇侯廉平
11篇王熙元
11篇陈娓兮

传媒

34篇Journa...
8篇光电子．激光
5篇中国激光
5篇第十七届全国...
3篇第13届全国...
2篇物理学报
2篇激光与光电子...
2篇光子学报
2篇高技术通讯
2篇第十五届全国...
2篇全国第14次...
1篇半导体情报
1篇科学通报
1篇电信科学
1篇激光技术
1篇功能材料与器...
1篇半导体光电
1篇光学仪器
1篇第十二届全国...
1篇第十届全国光...

年份

1篇2022
3篇2020
4篇2019
3篇2018
4篇2017
6篇2016
12篇2015
14篇2014
17篇2013
24篇2012
16篇2011
25篇2010
9篇2009
12篇2008
12篇2007
13篇2006
19篇2005
12篇2004
11篇2003
5篇2002

共 253 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

借助保护层的取样光栅的制作方法: 一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层；在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域；将曝光后的结构进行选择性...; 王桓阚强周帆王宝君朱洪亮; 文献传递

一种晶体管激光器及其制作方法: 本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡...; 梁松朱洪亮

一种制作黑硅材料的方法: 本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照...; 朱洪亮梁松韩培德林学春王宝华

MOCVD选择区域外延和对接生长研究: 采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光电子集成器件的关键。; 孔端花梁松潘教青刘扬汪洋朱洪亮; 关键词：MOCVD

单片光子集成器件整片制作结构: 本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构，其中包括多列相邻设置的集成器件单元组，每列集成器件单元组包括多个集成器件单元，每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽，所述两个光器件通过脊型波导串联；每列集成器件单元组中的集...; 黄永光朱洪亮王宝军张瑞康; 文献传递

一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法: 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯...; 梁松张灿于立强赵玲娟朱洪亮吉晨王圩; 文献传递

浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应被引量：1: 1999年; 利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ。; 朱洪亮韩德俊胡雄伟汪孝杰汪孝杰; 关键词：激光器

吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法: 一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜；在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶；将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽，刻蚀二...; 冯文王宝军潘教青赵玲娟朱洪亮王圩; 文献传递

低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长: 1998年; 本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．; 陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利; 关键词：DFB激光器 LP-MOCVD

四段式放大反馈混沌光发射激光器结构: 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在多量子...; 潘碧玮陆丹赵玲娟余力强周代兵朱洪亮王圩张莉萌; 文献传递

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