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纪刚

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇镁
  • 2篇GAP
  • 2篇INGAAL...
  • 1篇异质结
  • 1篇应变弛豫
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇磷化钙
  • 1篇光材料
  • 1篇发光
  • 1篇发光材料
  • 1篇PLED
  • 1篇SIMS分析
  • 1篇掺杂
  • 1篇弛豫
  • 1篇次级

机构

  • 3篇复旦大学
  • 1篇光电子有限公...

作者

  • 3篇纪刚
  • 2篇李越生
  • 2篇曹永明
  • 1篇方培源
  • 1篇宗祥福

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析
本文应用二次离子质谱技术,研究了衬底温度和掺杂气体流量对Mg的掺杂浓度的影响.
曹永明纪刚李越生方培源宗祥福
关键词：镁发光材料
文献传递
Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为被引量：1
2001年
利用 SIMS分析技术 ,研究了在 In Ga Al P和 Ga P材料中 ,MOCVD工艺参数对 Mg的掺杂行为的影响 .实验结果表明 ,在较高温度下 ,Mg在生长表面的再蒸发决定了 Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降 ;而当载流子浓度饱和时 ,杂质 Mg在材料中的置换填隙机制使得 Mg的激活率随 Cp2 Mg流量的再增加反而下降 .同时通过计算得到 Mg在 In Ga Al P及 Ga P中的再蒸发激活能分别约为 0 .9e V和 1.1e
纪刚李越生曹永明华铭
关键词：INGAALP掺杂镁磷化钙
In(GaAl)PLED掺杂工艺和异质结弛豫机制的研究
以InGaAlP为代表的四元化合物作为高亮度发光二极管(LED)材料正在引起广泛的重视.该论文针对高亮度发光二极管(LED)器件与材料,利用二次离子质谱(SIMS)分析手段研究了掺杂元素Mg在InGaAlP和Gap中随衬...
纪刚
关键词：INGAALP应变弛豫欧姆接触
文献传递
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