胡卉
- 作品数：18 被引量：57H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究
- 综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最...
- 罗毅胡卉韩彦军郭文平邵嘉平薛松孙长征郝智彪
- 关键词：干法刻蚀
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- 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
- 一种高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法,属于光电子材料技术领域。本发明的特征是在待外延生长的蓝宝石衬底表面刻上将蓝宝石衬底表面分成许多小块的沟槽,沟槽宽为0.001－1000微米,深为0.001－300微米,沟...
- 罗毅郭文平胡卉孙长征郝智彪
- 文献传递
- 高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4
- 2005年
- 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
- 邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪
- 关键词：多量子阱材料GAN荧光谱发光二极管内建电场
- 高质量InGaN LED器件的物理特性
- GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其...
- 郭文平胡卉邵嘉平韩彦军薛松汪莱孙长征郝智彪罗毅
- 关键词：INGAN发光二极管(LED)波长稳定性GAN材料发光二极管物理特性量子阱结构
- 文献传递
- 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
- 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl<Sub>2</Sub>/N<Sub>2</Sub>/O<Sub>2</Sub>这三种气体混合而形成的反应气体生成...
- 罗毅韩彦军薛松胡卉郭文平邵嘉平孙长征郝智彪
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- GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究被引量：45
- 2004年
- 尽管GaN基蓝绿光发光二极管 (LED)已进入大规模商品化阶段 ,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题 .同时 ,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为 2 5nm以上 .通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量 ,获得了高质量的InGaN GaN多量子阱LED外延片 .由此制作的LED器件在 0— 1 2 0mA的注入电流下 ,发光波长变化小于 1nm .在 2 0mA的正向电流下 ,其光谱半高全宽只有 1 8nm 。
- 罗毅郭文平邵嘉平胡卉韩彦军薛松汪莱孙长征郝智彪
- 关键词：氮化镓蓝光发光二极管波长稳定性注入电流发光波长
- GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响被引量：2
- 2004年
- 分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度 ,有利于提高 L ED器件特别是高 In组分绿光 L ED器件在同等注入电流条件下的发光功率 .
- 邵嘉平郭文平胡卉郝智彪孙长征罗毅
- 关键词：GANLED材料
- 氮化镓基蓝光发光二极管瞬态光荧光谱的研究
- 本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.
- 胡卉郭文平邵嘉平周晓滢韩彦军薛松孙长征罗毅
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机化学气相淀积
- 文献传递
- GaN基高亮度绿色LED材料蓝带发光特性研究
- 本实验采用低压金属有机化学气相设备(LP-MOCVD)生长中心波长在505nm~535nm的绿色LED外延样品,通过变温(9K~325K)光致荧光谱对不同外延生长条件和后步工艺处理条件下LED样品的p型层蓝发光特性进行研...
- 邵嘉平郭文平胡卉孙长征郝智彪罗毅
- 关键词：GAN发光二极管多量子阱结构发光特性
- 文献传递
- 不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光被引量：5
- 2002年
- 究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随着退火温度的升高 ,不同掺杂浓度的 Mg∶ Ga N材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小 ,经 85 0℃退火后蓝带集中在 2 .92 e V附近 .利用 Mg∶ Ga N材料内部补偿模型对此现象进行了分析 ,同时认为对于掺杂浓度较高的样品 ,85 0℃为最佳的退火温度 .
- 周晓滢郭文平胡卉孙长征罗毅
- 关键词：P型掺杂光致发光退火氮化镓
