邵嘉平
- 作品数：17 被引量：63H指数：4
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程经济管理更多>>
- 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
- 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl<Sub>2</Sub>/N<Sub>2</Sub>/O<Sub>2</Sub>这三种气体混合而形成的反应气体生成...
- 罗毅韩彦军薛松胡卉郭文平邵嘉平孙长征郝智彪
- 文献传递
- 半导体照明产业化关键技术的国内外专利现状分析及应对策略被引量：7
- 2004年
- GaN基高亮度及功率型LED的各项关键技术方面存在着先行者拥有明显的先发优势,而后来者进入壁垒较大的客观现实。一些跨国公司掌握了一系列原创性的专利,引领着技术发展的潮流,并占有绝大多数的市场份额。但另一方面,本领域内的技术路线分布层面广、基本物理机制尚不清晰,各项关键技术的内容属于“know-how”的成分较多,给我们留下了足够的创新空间。目前就全球产业界而言,GaN管芯器件的可靠性与稳定性指标尚亟待提高。全球研发人员都在齐步努力中。这都是我们作为后发者大有可为之处的突破领域。
- 罗毅邵嘉平孙长征
- 关键词：发光二极管半导体照明LED氮化镓固态光源
- 宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法
- 本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮-镓氮或铟镓氮-铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料...
- 罗毅邵嘉平韩彦军孙长征郝智彪
- 文献传递
- 宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法
- 本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮－镓氮或铟镓氮－铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料...
- 罗毅邵嘉平韩彦军孙长征郝智彪
- 文献传递
- GaN材料MOCVD生长条件的模拟研究
- 本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方...
- 郭文平胡卉邵嘉平孙长征郝智彪罗毅
- 关键词：GAN材料MOCVD
- 文献传递
- 面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究
- 综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最...
- 罗毅胡卉韩彦军郭文平邵嘉平薛松孙长征郝智彪
- 关键词：干法刻蚀
- 文献传递
- MOCVD生长GaN材料的模拟被引量：5
- 2005年
- 基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.
- 郭文平邵嘉平罗毅孙长征郝智彪韩彦军
- 关键词：GANMOCVD计算流体力学
- GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究被引量：45
- 2004年
- 尽管GaN基蓝绿光发光二极管 (LED)已进入大规模商品化阶段 ,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题 .同时 ,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为 2 5nm以上 .通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量 ,获得了高质量的InGaN GaN多量子阱LED外延片 .由此制作的LED器件在 0— 1 2 0mA的注入电流下 ,发光波长变化小于 1nm .在 2 0mA的正向电流下 ,其光谱半高全宽只有 1 8nm 。
- 罗毅郭文平邵嘉平胡卉韩彦军薛松汪莱孙长征郝智彪
- 关键词：氮化镓蓝光发光二极管波长稳定性注入电流发光波长
- GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响被引量：2
- 2004年
- 分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度 ,有利于提高 L ED器件特别是高 In组分绿光 L ED器件在同等注入电流条件下的发光功率 .
- 邵嘉平郭文平胡卉郝智彪孙长征罗毅
- 关键词：GANLED材料
- 氮化镓基蓝光发光二极管瞬态光荧光谱的研究
- 本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.
- 胡卉郭文平邵嘉平周晓滢韩彦军薛松孙长征罗毅
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机化学气相淀积
- 文献传递
