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袁庆亮

作品数:2 被引量:10H指数:1
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金:四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射线衍射
  • 1篇透射
  • 1篇透射谱
  • 1篇溅射
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇薄膜光学
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇ZNO
  • 1篇AFM
  • 1篇AZO薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇袁庆亮
  • 2篇韦敏
  • 2篇李金丽
  • 2篇邓宏
  • 1篇薛书文
  • 1篇刘财坤
  • 1篇李燕

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
重掺Al3+对ZnO薄膜光学性能的影响
本文利用射频磁控溅射方法,在Si基片和玻璃基片上制备Al3+掺杂浓度10%-40%的ZnO薄膜,并测试了薄膜的透射谱和光致发光谱.随着Al3+掺杂浓度的提高,ZnO薄膜的吸收边向短波长方向蓝移;当Al3+掺杂浓度达到20...
袁庆亮李燕李金丽薛书文韦敏邓宏
关键词:ZNO薄膜光致发光谱透射谱射频磁控溅射
文献传递
Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响被引量:10
2007年
采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。
李金丽邓宏刘财坤袁庆亮韦敏
关键词:AZO薄膜X射线衍射AFM电阻率
共1页<1>
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